公开(公告)号：CN111233023A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010040376.0

申请日：2020-01-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 韩永昊 ,  田慧锋 ,  王佳 ,  刘浩 ,  高春晓

IPC: C01G3/04 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明的一种提高CuI空穴迁移率的方法，属于铜基P型半导体材料技术领域。以铼片作为垫片材料，红宝石荧光峰作为压力大小的标定对象；在金刚石对顶砧上布置四根电极，在垫片的样品腔中添加CuI粉末样品，利用金刚石对顶砧装置样品对腔内部施加0.55～15.16GPa的压力，得到空穴迁移变率提高的CuI材料。本发明提供了一种提高CuI空穴迁移率的新方法，为CuI在太阳能电池、半导体薄膜晶体管等电子器件领域的应用提供新方向，同时本发明还具有操作简单，可控等优点。

公开(公告)号：CN110554068A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910856185.9

申请日：2019-09-11

Applicant: 吉林大学

Inventor： 韩永昊 ,  杨磊 ,  赵琳 ,  田慧锋 ,  高春晓

IPC: G01N24/00

Abstract: 本发明公开了一种基于DAC装置探测金刚石NV色心的ODMR谱的实验装置，所述激光器射出的光路上依次安装有扩束透镜、反射镜二、反射镜一、聚焦镜头、红宝石和金刚石NV色心；所述红宝石及金刚石NV色心发出的荧光的光路上依次设有聚焦镜头、滤波镜片和准直透镜、光电探测器，光电探测器连接信号采集器；所述微波发生器通过SMA端口连接线依次与功率放大器、铜线连接；铂线两端连有铜线；所述金刚石NV色心挑至铂线附近。发明提供的基于DAC装置探测金刚石NV色心的ODMR谱的实验装置，结构简单，为超导现象的检测等提供了新的选择。

公开(公告)号：CN111175119A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010040547.X

申请日：2020-01-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 韩永昊 ,  田慧锋 ,  王佳 ,  刘浩 ,  高春晓

IPC: G01N3/02 ,  G01N3/62

Abstract: 本发明的一种金刚石对顶砧内金属垫片绝缘方法属于超硬材料技术领域，主要步骤包括绝缘粉的制备、绝缘溶液的制备、绝缘垫片的制作等。本发明所制备的绝缘垫片电阻率大小超过1014Ω·㎝，适用于电阻阻值大的样品进行基于金刚石对顶砧技术的电学实验测试，且本发明材料易获取，制备方法简单，重复性好。