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公开(公告)号：CN100334251C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410011105.3
申请日：2004-09-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的有定向及自控制功能的真空镀膜机属改进型的真空镀膜装置。其结构有：平台34上的真空罩15、真空泵33、支架2、基板托架12、钨丝35；加装的定向装置由蒸发器1、玻璃漏斗4和漏斗托架3组成；加装的膜厚控制装置由微量天平13、压力传感器37和控制电路组成；加装的淀积速率控制装置由上极板16和下极板23及直流高压电源构成。还加装有加热器17、基板传动装置和蒸发源与基板间距控制装置。本发明能避免蒸汽分子散射造成的浪费，防止大颗粒熔融物影响薄膜的质量；膜层与基板结合得更致密、膜层更均匀；能够控制镀膜的厚度；控制和加快淀积速率。本发明是在原设备基础上的改进，所以设备简单，投资较小。
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公开(公告)号：CN1624191A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410011105.3
申请日：2004-09-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的有定向及自控制功能的真空镀膜机属改进型的真空镀膜装置。其结构有：平台34上的真空罩15、真空泵33、支架2、基板托架12、钨丝35；加装的定向装置由蒸发器1、玻璃漏斗4和漏斗托架3组成；加装的膜厚控制装置由微量天平13、压力传感器37和控制电路组成；加装的淀积速率控制装置由上极板16和下极板23及直流高压电源构成。还加装有加热器17、基板传动装置和蒸发源与基板间距控制装置。本发明能避免蒸汽分子散射造成的浪费，防止大颗粒熔融物影响薄膜的质量；膜层与基板结合得更致密、膜层更均匀；能够控制镀膜的厚度；控制和加快淀积速率。本发明是在原设备基础上的改进，所以设备简单，投资较小。
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公开(公告)号：CN2039845U
公开(公告)日：1989-06-21
申请号：CN88209250
申请日：1988-07-31
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N24/10
Abstract: 本实用新型是一种用于教学、科研和有关生产单位作物质微观结构分析及测量磁场强度的微波EPR谱仪。它利用三为一体腔将微波源(耿氏二极管)、样品、检波置于同一腔内，微波源处于边限振荡工作状态，使传统式的EPR谱仪工作体制获得更新。由于省去了样品腔、检波器等波导器件、速调管及其电源、稳流源、检波放大等电子线路，而提高了灵敏度，降低了噪声，减小了体积；具有造价低廉、加工容易、测试方便、用途广泛等优点。
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公开(公告)号：CN2743366Y
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200420012521.0
申请日：2004-09-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本实用新型的有定向及自控制功能的真空镀膜机属改进型的真空镀膜装置。其结构有：平台34上的真空罩15、真空泵33、支架2、基板托架12、钨丝35；加装的定向装置由蒸发器1、玻璃漏斗4和漏斗托架3组成；加装的膜厚控制装置由微量天平13、压力传感器37和控制电路组成；加装的淀积速率控制装置由上极板16和下极板23及直流高压电源构成。还加装有加热器17、基板传动装置和蒸发源与基板间距控制装置。本实用新型能避免蒸汽分子散射造成的浪费，防止大颗粒熔融物影响薄膜的质量；膜层与基板结合得更致密、膜层更均匀；能够控制镀膜的厚度；控制和加快淀积速率。本实用新型是在原设备基础上的改进，所以设备简单，投资较小。
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