公开(公告)号：CN118978907A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411067611.8

申请日：2024-08-06

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张晓宇 ,  王建勋 ,  尹文旭 ,  郑伟涛

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/66 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种硫族化合物/钙钛矿异质结构的制备方法，其特征在于，该方法至少包括：将活化的钙钛矿纳米晶CsPbX3先与硫族化合物阳离子前驱体混合均匀，然后加入硫族化合物阴离子前驱体，使得硫族化合物在钙钛矿表面外延生长，得到多维硫族化合物/钙钛矿异质结构。其中活化的钙钛矿表面的硫族原子显著降低硫族化合物在钙钛矿表面外延生长动力学势垒，有助于硫族化合物在钙钛矿表面的外延生长。配体工程调控硫族化合物前驱体的活性，有利于阳离子附着在钙钛矿表面和取向生长。本发明是定向合成多维硫族化合物/钙钛矿异质结方法的重大突破。

公开(公告)号：CN115093845A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210710512.1

申请日：2022-06-22

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张晓宇 ,  尹文旭 ,  黄倩倩 ,  王建勋 ,  郑伟涛

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/66 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及纳米材料及纳米材料制备技术领域，为了解决现有的导电钙钛矿核壳量子点存在晶体结构和荧光稳定性差，从而导致发光二极管效率滚降的问题，公开了导电钙钛矿核壳量子点，所述导电钙钛矿核壳量子点的结构式为CsPbX3:MB，所述导电钙钛矿量子点的内核CsPbX3与表面原子型半导体MB形成Ⅰ型的能带结构；内核与外壳的界面处存在缓冲层，用于稳定内核CsPbX3；荧光范围为400‑700nm。本发明所制备的导电钙钛矿核壳量子点能够有效的阻断离子迁移通道，形成具有平缓界面势垒的I型核壳能级结构，进而可抑制发光二极管的效率滚降问题。