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公开(公告)号：CN102790166A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210308323.8
申请日：2012-08-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于新能源热电转换材料技术领域，具体涉及一种以静电纺丝纳米纤维为基底的具有柔性、高热电优值的半导体纳米结构材料及其制备方法。是以高分子和硝酸银复合纳米纤维为基底，将硝酸银还原后利用无电镀的方法在纤维表面沉积一层银壳，后通过原位氧化还原和硫化的方法，获得高分子/硫化银的核壳纳米纤维材料。本发明制备得到的纳米纤维基热电材料具有超高的塞贝克系数及热电优值，并且具有很好的柔性，这是传统热电材料所不能比拟的。如聚丙烯腈/硫化银核壳纳米纤维的塞贝克系数达到了103以上，最大热电优值在340K的温度下达到了0.9，并且保留了聚丙烯腈纳米纤维原有的柔性。
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公开(公告)号：CN102299058A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110118975.0
申请日：2011-05-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明于纳米半导体微电子器件技术领域，具体涉及一种利用电纺丝技术并结合水热合成技术制备具有多级异质结构的纳米半导体材料，并用于构筑高性能稳定微电子器件的方法。是以电纺烧结得到的无机氧化物纳米纤维为主干，通过水热反应后续在纤维表面沉积生长无机氧化物纳米棒，获得准一维树枝状多级异质结构的纳米材料，之后组装成场效应晶体管。本发明制备得到的场效应晶体管具有超高的电子迁移率，并且长寿命及高稳定性远远超过了其它大多数场效应晶体管。如锐钛矿二氧化钛纳米纤维/金红石二氧化钛纳米棒多级结构的场效应晶体管最大电子迁移率可以达到10cm2/Vs以上，随着时间延长和湿度的增大，性能几乎没有出现衰减。
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公开(公告)号：CN102299058B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110118975.0
申请日：2011-05-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明于纳米半导体微电子器件技术领域，具体涉及一种利用电纺丝技术并结合水热合成技术制备具有多级异质结构的纳米半导体材料，并用于构筑高性能稳定微电子器件的方法。是以电纺烧结得到的无机氧化物纳米纤维为主干，通过水热反应后续在纤维表面沉积生长无机氧化物纳米棒，获得准一维树枝状多级异质结构的纳米材料，之后组装成场效应晶体管。本发明制备得到的场效应晶体管具有超高的电子迁移率，并且长寿命及高稳定性远远超过了其它大多数场效应晶体管。如锐钛矿二氧化钛纳米纤维/金红石二氧化钛纳米棒多级结构的场效应晶体管最大电子迁移率可以达到10cm2/Vs以上，随着时间延长和湿度的增大，性能几乎没有出现衰减。
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公开(公告)号：CN101894913B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201010197162.0
申请日：2010-06-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种利用电纺丝方法，结合贵金属纳米粒子掺杂技术制备超高电荷迁移率的高分子场效应晶体管的方法。是将贵金属盐与高分子纤维混纺在一起，然后通过气相聚合或者后处理液相聚合的方法，得到贵金属纳米粒子掺杂的高分子/导电高分子核壳纳米纤维，然后进行场效应晶体管的组装。本发明制备的场效应晶体管具有高的迁移率，几乎超越了绝大多数的高分子基晶体管。如金掺杂聚丙烯腈/聚苯胺和金掺杂的聚丙烯腈/聚噻吩核壳纳米纤维的场效应最大电荷迁移率可以分别达到9.37cm2/Vs与10.35cm2/Vs。该方法工业简单，成本低廉，重复性好，并且能够制备出高迁移率的高分子场效应晶体管，将为有机电子器件的发展与应用开拓新的思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101956247A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010505164.1
申请日：2010-10-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于静电纺丝制备技术，具体涉及一种在常温下利用静电纺丝技术制备聚丙烯超细纤维的方法。它是选择兼具聚丙烯材料良好的化学稳定性，同时相对较易被有机溶剂溶解的无规聚丙烯(aPP)为原料，采用电纺丝技术，制备聚丙烯超细纤维。由此方法制备的聚丙烯超细纤维形貌良好、直径均一，纤维直径在200-950nm之间。本发明首次在常温下制备出聚丙烯超细纤维，解决了一直以来只能以熔体纺丝及膜裂成纤法来制备聚丙烯纤维的局限。该方法制备工艺及生产设备简单、对生产条件要求较低、便于操作、低能耗；且由于采用无规聚丙烯(aPP)作为原料，来源丰富、生产成本低廉，因此具有良好的市场应用前景，易于推广和应用。
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公开(公告)号：CN102790166B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201210308323.8
申请日：2012-08-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于新能源热电转换材料技术领域，具体涉及一种以静电纺丝纳米纤维为基底的具有柔性、高热电优值的半导体纳米结构材料及其制备方法。是以高分子和硝酸银复合纳米纤维为基底，将硝酸银还原后利用无电镀的方法在纤维表面沉积一层银壳，后通过原位氧化还原和硫化的方法，获得高分子/硫化银的核壳纳米纤维材料。本发明制备得到的纳米纤维基热电材料具有超高的塞贝克系数及热电优值，并且具有很好的柔性，这是传统热电材料所不能比拟的。如聚丙烯腈/硫化银核壳纳米纤维的塞贝克系数达到了103以上，最大热电优值在340K的温度下达到了0.9，并且保留了聚丙烯腈纳米纤维原有的柔性。
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公开(公告)号：CN101894913A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010197162.0
申请日：2010-06-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种利用电纺丝方法，结合贵金属纳米粒子掺杂技术制备超高电荷迁移率的高分子场效应晶体管的方法。是将贵金属盐与高分子纤维混纺在一起，然后通过气相聚合或者后处理液相聚合的方法，得到贵金属纳米粒子掺杂的高分子/导电高分子核壳纳米纤维，然后进行场效应晶体管的组装。本发明制备的场效应晶体管具有高的迁移率，几乎超越了绝大多数的高分子基晶体管。如金掺杂聚丙烯腈/聚苯胺和金掺杂的聚丙烯腈/聚噻吩核壳纳米纤维的场效应最大电荷迁移率可以分别达到9.37cm2/Vs与10.35cm2/Vs。该方法工业简单，成本低廉，重复性好，并且能够制备出高迁移率的高分子场效应晶体管，将为有机电子器件的发展与应用开拓新的思路。
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公开(公告)号：CN101550260A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910066961.1
申请日：2009-05-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于高介电材料技术领域，具体涉及一种含有银纳米线的高介电复合材料的制备方法。该复合材料是以银纳米线为填充材料，以聚偏氟乙烯为基体材料，其中银纳米线的体积占银纳米线和聚偏氟乙烯混合体积的5～26％。其是将银纳米线和聚偏氟乙烯加入到有机溶剂N，N－二甲基甲酰胺中，超声30～50分钟使其均匀分散，将获得的混合溶液在60～80℃加热搅拌6～10个小时，冷却至室温后将混合液体浇铸成膜，在60～80℃烘干，最后在100～120℃真空烘箱里热处理12～36小时，即得到银纳米线作为填充材料，聚偏氟乙烯作为基体材料的含有银纳米线的高介电复合材料。本发明制备的含银纳米线的高介电复合膜具有高的介电常数，很好的柔韧性，而且均匀致密。
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公开(公告)号：CN101956247B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010505164.1
申请日：2010-10-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于静电纺丝制备技术，具体涉及一种在常温下利用静电纺丝技术制备聚丙烯超细纤维的方法。它是选择兼具聚丙烯材料良好的化学稳定性，同时相对较易被有机溶剂溶解的无规聚丙烯(aPP)为原料，采用电纺丝技术，制备聚丙烯超细纤维。由此方法制备的聚丙烯超细纤维形貌良好、直径均一，纤维直径在200-950nm之间。本发明首次在常温下制备出聚丙烯超细纤维，解决了一直以来只能以熔体纺丝及膜裂成纤法来制备聚丙烯纤维的局限。该方法制备工艺及生产设备简单、对生产条件要求较低、便于操作、低能耗；且由于采用无规聚丙烯(aPP)作为原料，来源丰富、生产成本低廉，因此具有良好的市场应用前景，易于推广和应用。
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