公开(公告)号：CN115768154B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202211096775.4

申请日：2022-09-08

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李鸿飞 ,  宋宏伟 ,  周东磊 ,  白雪 ,  董彪 ,  徐琳

IPC: H10K50/11 ,  H10K50/115 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40

Abstract: 本发明公开了一种铒/镱共掺钙钛矿近红外发光薄膜及其发光二极管，以稀土铒、镱和铯的醋酸盐替代相应的氯化盐分别作为铒、镱和铯源，解决了目前溶液法制备铒/镱共掺钙钛矿薄膜过程中由于氯离子的增多所导致的二甲基亚砜溶液中二氯化铅和甲醇溶液中镱离子沉淀析出的难题，实现了铒/镱离子取代铅离子格位的有效掺杂，提高了铒离子的掺杂量，改善了成膜质量，降低了缺陷密度及其非辐射复合几率，显著提升了掺铒钙钛矿1.54微米近红外发光的发光性能。

公开(公告)号：CN115768154A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211096775.4

申请日：2022-09-08

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李鸿飞 ,  宋宏伟 ,  周东磊 ,  白雪 ,  董彪 ,  徐琳

IPC: H10K50/11 ,  H10K50/115 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40

Abstract: 本发明公开了一种铒/镱共掺钙钛矿近红外发光薄膜及其发光二极管，以稀土铒、镱和铯的醋酸盐替代相应的氯化盐分别作为铒、镱和铯源，解决了目前溶液法制备铒/镱共掺钙钛矿薄膜过程中由于氯离子的增多所导致的二甲基亚砜溶液中二氯化铅和甲醇溶液中镱离子沉淀析出的难题，实现了铒/镱离子取代铅离子格位的有效掺杂，提高了铒离子的掺杂量，改善了成膜质量，降低了缺陷密度及其非辐射复合几率，显著提升了掺铒钙钛矿1.54微米近红外发光的发光性能。