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公开(公告)号：CN111208402B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010050055.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种独立调控半导体量子阱自旋轨道耦合参数的方法属于半导体自旋电子学技术领域。具体步骤包括：选用非对称掺杂和具有可控金属栅极的半导体量子阱样品；将步骤样品装进活塞套筒型电测量高压腔，对样品施加压力和栅极电压；利用反弱局域化测量得到Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合参数，通过同时调节压力和栅极电压实现两种自旋轨道耦合参数的独立调控。本发明提供的调控半导体量子阱自旋轨道耦合强度参数的方法可行性高，而且可以原位进行，不需要制备新的样品，能够分别实现两种参数的独立调控，调控效果显著。
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公开(公告)号：CN111239098A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010082045.3
申请日：2020-02-07
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明的一种探测无定形硒电中性缺陷态的方法属于半导体材料物性检测领域，具体有以下步骤：步骤S1：将无定形硒样品装进金刚石对顶砧压腔，对样品施加压力；步骤S2：测量不同压力下无定形硒的拉曼散射信号；步骤S3：通过分析拉曼散射强度随压力的变化确定缺陷态能级。本发明的方法可行性高，简单易行，能够有效地探测到无定形硒的由二面角畸变导致的电中性缺陷态，可以精确测定缺陷态能级及其随压力的变化关系。
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公开(公告)号：CN111208402A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010050055.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种独立调控半导体量子阱自旋轨道耦合参数的方法属于半导体自旋电子学技术领域。具体步骤包括：选用非对称掺杂和具有可控金属栅极的半导体量子阱样品；将步骤样品装进活塞套筒型电测量高压腔，对样品施加压力和栅极电压；利用反弱局域化测量得到Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合参数，通过同时调节压力和栅极电压实现两种自旋轨道耦合参数的独立调控。本发明提供的调控半导体量子阱自旋轨道耦合强度参数的方法可行性高，而且可以原位进行，不需要制备新的样品，能够分别实现两种参数的独立调控，调控效果显著。
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