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公开(公告)号：CN117245172A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311403333.4
申请日：2023-10-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种层间涂敷SiC颗粒增强镁合金电弧增材制造性能的方法，属于电弧增材制造领域。在沉积完成每一层镁合金之后，在该镁合金层表面均匀涂敷上SiC质量分数为1%‑3%的SiC颗粒与无水乙醇的混合液体，再沉积下一层，如此反复，直至增材构件沉积完毕。在沉积件凝固过程中，SiC颗粒会被固液界面推到固液界面的前端，即被推到枝晶的前端，从而抑制枝晶的继续生长，且SiC颗粒本身可以作为异质形核点，为α‑Mg基体提供形核表面，使得熔池中的形核位置更多，从而细化晶粒。
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