公开(公告)号：CN111048604B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201911297332.X

申请日：2019-12-17

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  朱玥 ,  刘彩霞 ,  周敬然 ,  李昕 ,  温善鹏

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 一种基于MgZnO/ZnSⅡ型异质结高性能紫外探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由石英片衬底、主要光敏感层MgZnO纳米薄膜、界面修饰层ZnS薄膜、Au叉指电极组成；本发明通过在MgZnO纳米薄膜与Au叉指电极中间引入界面修饰层ZnS薄膜并构建Ⅱ型异质结，在暗态下，由于内建电场与耗尽区的存在，MgZnO/ZnS异质复合薄膜中的多数载流子密度会明显降低，复合薄膜器件呈高电阻状态，从而有效降低暗电流。在紫外光照下，II型异质结构可以通过促进电荷分离有效地减少电子‑空穴对的重组并延长光生载流子寿命，最终使器件具有较高的增益和光电流。

公开(公告)号：CN111048604A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911297332.X

申请日：2019-12-17

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  朱玥 ,  刘彩霞 ,  周敬然 ,  李昕 ,  温善鹏

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 一种基于MgZnO/ZnSⅡ型异质结高性能紫外探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由石英片衬底、主要光敏感层MgZnO纳米薄膜、界面修饰层ZnS薄膜、Au叉指电极组成；本发明通过在MgZnO纳米薄膜与Au叉指电极中间引入界面修饰层ZnS薄膜并构建Ⅱ型异质结，在暗态下，由于内建电场与耗尽区的存在，MgZnO/ZnS异质复合薄膜中的多数载流子密度会明显降低，复合薄膜器件呈高电阻状态，从而有效降低暗电流。在紫外光照下，II型异质结构可以通过促进电荷分离有效地减少电子-空穴对的重组并延长光生载流子寿命，最终使器件具有较高的增益和光电流。