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公开(公告)号：CN101074493A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710055496.2
申请日：2007-04-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C30B29/46
Abstract: 本发明的一种合成CdSe和CdTe纳米晶的方法属于半导体纳米晶合成方法技术领域。工艺过程分为Se或Te溶液的制备、Cd溶液的制备和纳米晶的合成。Se或Te溶液的制备是，将Se粉或Te粉与三辛基磷混合搅拌1－3小时；Cd溶液的制备是，将CdO粉、油酸和苯基醚装入容器，在氩气或氮气气氛下搅拌并加热使形成透明的Cd溶液；纳米晶的合成是，在注射温度130－250℃下将Se或Te溶液注射进Cd溶液，同时降温至生长温度100－220℃合成0.2－300分钟，本发明的方法能够制得更多尺寸的超小的CdSe和CdTe纳米晶；纳米晶的缺陷少、热稳定性好。本发明在科学研究中和实际应用上具有很大的潜力。
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公开(公告)号：CN1762603A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510017120.3
申请日：2005-09-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的提取半导体胶体纳米晶的方法及其提取工具属于液体的密封传输方法领域。本发明的方法是在无氧无水和氩气或氮气保护的schlenk系统中进行的，系统由三颈瓶1构成，三个颈是保护气体充气口4、塞有颈口胶塞3的提液口2和温控口5；使用一端带尖的弯曲的提样管10，用其尖端穿刺颈口胶塞3；再将尖端插到高温反应溶液7液面之下，半导体胶体纳米晶随溶液被自动压进装有冷却液的样品瓶8内。本发明的提样方法操作简单、提高工作效率和节约成本；能自动清洗提样管，能研究纳米晶的成核过程；样品没有丝毫的暴露在空气中；样品会在不到1秒的时间内被压进样品瓶和扑灭反应；每次提取出来的样品的单分散性好。
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公开(公告)号：CN101074493B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200710055496.2
申请日：2007-04-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C30B29/46
Abstract: 本发明的一种合成CdSe和CdTe纳米晶的方法属于半导体纳米晶合成方法技术领域。工艺过程分为Se或Te溶液的制备、Cd溶液的制备和纳米晶的合成。Se或Te溶液的制备是，将Se粉或Te粉与三辛基磷混合搅拌1-3小时；Cd溶液的制备是，将CdO粉、油酸和苯基醚装入容器，在氩气或氮气气氛下搅拌并加热使形成透明的Cd溶液；纳米晶的合成是，在注射温度130-250℃下将Se或Te溶液注射进Cd溶液，同时降温至生长温度100-220℃合成0.2-300分钟，本发明的方法能够制得更多尺寸的超小的CdSe和CdTe纳米晶；纳米晶的缺陷少、热稳定性好。本发明在科学研究中和实际应用上具有很大的潜力。
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