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公开(公告)号：CN101775207A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010030843.8
申请日：2010-01-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于有机薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种可作为有机薄膜晶体管绝缘层材料并可以直接光写入图案化的有机-无机杂化材料，该杂化材料在紫外波200～400nm范围内曝光后形成图案化的绝缘层。在该杂化材料中，有机部分为既含有光敏基团又含有硅氧烷结构的聚氨酯，无机部分为钛酸四丁酯与硅氧烷或锆酸四丁酯与硅氧烷的水解产物，无机部分的质量为有机部分质量的10％～70％。测试结果表明该杂化材料应用在晶体管绝缘层时具有场效应，晶体管的开关比为104，迁移率为0.08cm2Ns，基本接近非晶硅的水平。
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公开(公告)号：CN101604730A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910067211.6
申请日：2009-07-02
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/30 , H01L51/10 , C08F220/28 , C08F220/14 , C08F220/30 , C08F220/36 , C08F212/08 , H01L51/40
Abstract: 本发明属于有机薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种可作为绝缘层材料并可以直接光写入图案化的共聚物，该共聚物在紫外波长200～400nm范围内曝光后形成图案化的绝缘层。该共聚物为两种单体的无规共聚物，其中一种单体含有光敏基团，两种单体以不同的比例共聚，其结构式如右所示，其中，m、n为1～50之间的整数，且m＞n。
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公开(公告)号：CN101775207B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010030843.8
申请日：2010-01-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于有机薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种可作为有机薄膜晶体管绝缘层材料并可以直接光写入图案化的有机-无机杂化材料，该杂化材料在紫外波200～400nm范围内曝光后形成图案化的绝缘层。在该杂化材料中，有机部分为既含有光敏基团又含有硅氧烷结构的聚氨酯，无机部分为钛酸四丁酯与硅氧烷或锆酸四丁酯与硅氧烷的水解产物，无机部分的质量为有机部分质量的10％～70％。测试结果表明该杂化材料应用在晶体管绝缘层时具有场效应，晶体管的开关比为104，迁移率为0.08cm2Ns，基本接近非晶硅的水平。
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公开(公告)号：CN101604730B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910067211.6
申请日：2009-07-02
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/30 , H01L51/10 , C08F220/28 , C08F220/14 , C08F220/30 , C08F220/36 , C08F212/08 , H01L51/40
Abstract: 本发明属于有机薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种可直接光写入图案化的有机薄膜晶体管绝缘层的制备方法，绝缘层材料在紫外波长200～400nm范围内曝光后形成图案化的绝缘层。绝缘层材料为两种单体的无规共聚物，其中一种单体含有光敏基团，两种单体以不同的比例共聚，其结构式如下所示，其中，m、n为1～50之间的整数，且m＞n。
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