公开(公告)号：CN115895648B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202211449464.1

申请日：2022-11-18

Applicant: 吉林大学

Inventor： 周东磊 ,  庄歆萌 ,  宋宏伟 ,  刘大力 ,  刘帅男 ,  徐文 ,  白雪

IPC: C09K11/61 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H10K30/10 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15

Abstract: 本发明公开了一种采用Eu3+掺杂的CsCl纳米晶修饰的钙钛矿太阳能电池，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。所述Eu3+掺杂的CsCl纳米晶的制备步骤包括：首先制备Cs油酸盐前驱体，然后在利用所述Cs油酸盐前驱体与十八烯、油酸和油胺制备纳米晶的同时引入Eu3+，制得Eu3+掺杂的CsCl纳米晶。进一步地，将所制得的Eu3+掺杂的CsCl纳米晶用于修饰FAPbI3钙钛矿薄膜，进而制得钙钛矿太阳能电池。本发明制备的CsCl:Eu3+纳米晶解决了传统CsCl纳米晶修饰FAPbI3薄膜所存在的带隙增大、薄膜结晶性差、效率低和湿度稳定性的问题。

公开(公告)号：CN115895648A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211449464.1

申请日：2022-11-18

Applicant: 吉林大学

Inventor： 周东磊 ,  庄歆萌 ,  宋宏伟 ,  刘大力 ,  刘帅男 ,  徐文 ,  白雪

IPC: C09K11/61 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H10K30/10 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15

Abstract: 本发明公开了一种采用Eu3+掺杂的CsCl纳米晶修饰的钙钛矿太阳能电池，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。所述Eu3+掺杂的CsCl纳米晶的制备步骤包括：首先制备Cs油酸盐前驱体，然后在利用所述Cs油酸盐前驱体与十八烯、油酸和油胺制备纳米晶的同时引入Eu3+，制得Eu3+掺杂的CsCl纳米晶。进一步地，将所制得的Eu3+掺杂的CsCl纳米晶用于修饰FAPbI3钙钛矿薄膜，进而制得钙钛矿太阳能电池。本发明制备的CsCl:Eu3+纳米晶解决了传统CsCl纳米晶修饰FAPbI3薄膜所存在的带隙增大、薄膜结晶性差、效率低和湿度稳定性的问题。