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公开(公告)号：CN205898724U
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201620483569.2
申请日：2016-05-25
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本实用新型涉及一种直线形微气体传感器，衬底Si片的正面生长有前SiO2层，Si片的背面生长有后SiO2层，在前SiO2层的上表面通过磁控溅射、光刻以及腐蚀技术制作出电极形状，两个Pt直线加热电阻和其两端的管脚Ⅰ、管脚Ⅱ、管脚Ⅲ和管脚Ⅳ构成了加热电极，Pt直线电极和管脚Ⅴ为信号测量电极。传感器加热电极设计为上下两直线条状，使得传感器中心区域的磁感应强度因相互抵消而变小，有效地削弱了磁场对测量信号的干扰，且降低了功耗，提高了传感器的整体性能，电极结构也更为简单，简化了制作工艺。
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