公开(公告)号：CN118571291A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410625265.4

申请日：2024-05-20

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈长鸣 ,  孙芳杰 ,  费腾 ,  崔安琪 ,  孙相宜 ,  林航 ,  赵华跃 ,  张大明

IPC: G11C16/18 ,  G11C7/04

Abstract: 一种基于光致变色聚合物的可擦写光信息存储方法，属于光信息存储技术领域。由于光致变色分子在紫外光的辐射下结构发生改变，该化合物由原本的无色变化为蓝色，且该过程可逆，在红外光或者热的作用下恢复至原始的无色状态。将光致变色分子溴代吲哚啉螺苯并吡喃掺杂在聚甲基丙烯酸甲酯‑甲基丙烯酸缩水甘油酯材料中，形成热稳定性好、透明度高、灵敏度高、耐腐蚀的光致变色聚合物。本发明利用掩膜版将微‑纳尺寸的光信息紫外直写入光致变色聚合物芯层中，并且写入信息具有高对比度，然后在可见光室温下便可实现光信息的擦除。本发明无需光热转化就可以直接实现信息存储，制备的光信息存储器件具有更高的分辨率、更快的存储速度及更大的存储密度。

公开(公告)号：CN118363191A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410637618.2

申请日：2024-05-22

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈长鸣 ,  赵华跃 ,  费腾 ,  于云龙 ,  崔安琪 ,  孙相宜 ,  孙芳杰 ,  张大明

IPC: G02F1/015 ,  G02F1/025 ,  G02F1/01

Abstract: 一种基于金属定义场效应调控技术的光波导调制器，属于集成光电子芯片技术领域。从下至上由衬底层、下包层、芯层、上金属电极层组成，上金属电极层由漏电极、栅电极和源电极构成；采用金属定义的形式，在下包层上形成交替排列的由芯层和上金属电极层组成的侧边包层区和仅由芯层组成的波导芯层区，以基模形式传输的信号光主要在波导芯层区传输；漏电极、栅电极和源电极在芯层上定义出马赫‑曾德尔场效应光波导调制器结构的波导芯层区。本发明在光波导调制器研究中提出了一种全新的调控方式和结构，并在调制性能和工艺制备方面具有显著优势，从而为解决现有光波导调制器技术中的不足提供了新的解决思路和方向。