公开(公告)号：CN119471907A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411845845.0

申请日：2024-12-16

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙小强 ,  王曼卓 ,  姚振涛 ,  刘庭瑜 ,  吴远大 ,  张大明

IPC: G02B6/125 ,  G02B6/126 ,  G02B6/122 ,  G02B6/14

Abstract: 一种基于二氧化硅光波导的偏振分束器，属于光子集成技术领域。依次由衬底、下包层、芯层波导和上包层组成，芯层波导被上包层所包覆；下包层和上包层为二氧化硅，芯层波导的高度均相同，为掺锗二氧化硅，由第一1×1MZI波导Core1、中间直波导Core2和第二1×1MZI波导Core3构成；芯层波导中间区域波导间距足够近时，可以看作类光栅结构，这导致TE模式和TM模式在这个区域的平均有效折射率不同，同时发生光模式的耦合与多模干涉，经过一定长度后，使得TE模式和TM模式产生相位差，最终进行偏振分离并从两个端口分别输出；以实现低折射率差平台的偏振复用技术或者在偏振敏感的器件中滤除不需要的偏振态。

公开(公告)号：CN117406526A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311353899.0

申请日：2023-10-19

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙小强 ,  张越 ,  孙朝阳 ,  姚振涛 ,  刘庭瑜 ,  王曼卓 ,  吴远大 ,  张大明

IPC: G02F1/313

Abstract: 一种基于DC‑MZI结构的模式不敏感波导型热光开关，属于平面光波导器件技术领域。从下至上由硅衬底、二氧化硅下包层、聚合物芯层波导和聚合物上包层组成，聚合物芯层波导为MZI光波导结构，由S弯曲波导连接的第一输入直波导和第二输入直波导、第一耦合臂波导和第二耦合臂波导、第一移相器直波导和第二移相器直波导、第三耦合臂波导和第四耦合臂波导、第一输出直波导和第二输出直波导构成；在聚合物上包层之上，在与第一移相器直波导和第二移相器直波导对应的位置制备有第一金属调制电极和第二金属调制电极。本发明通过调整两端平行耦合臂直波导的间距和耦合长度，实现了开关对四种模式不敏感的输出功能，在模分复用应用领域具有重要意义。

公开(公告)号：CN116679382A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310687425.3

申请日：2023-06-12

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙小强 ,  岳建波 ,  王曼卓 ,  姚振涛 ,  刘庭瑜 ,  张大明 ,  王菲

IPC: G02B6/293 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122

Abstract: 一种基于光栅结构的偏振不敏感边缘耦合器，属于二氧化硅波导集成光学技术领域。从下至上依次由衬底、低折射率二氧化硅下包层、高折射率二氧化硅波导芯层和低折射率二氧化硅上包层组成；高折射率二氧化硅波导芯层由第一光栅波导阵列N1、第二光栅波导阵列N2、第三光栅波导阵列N3、第四光栅波导阵列N4、锥型波导Core1和单模直波导Core2组成，锥型波导Core1镶嵌在锥型波导Core1镶嵌在光栅N3和光栅N4中；第一光栅波导阵列N1、第二光栅波导阵列N2、第四光栅波导阵列N4、第三光栅波导阵列N3的周期个数依次减少。当输入为TE和TM模式时，偏振相关损耗小于0.1dB，证明光栅结构边缘耦合器的偏振不敏感性。

公开(公告)号：CN119738923A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202510181234.9

申请日：2025-02-19

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙小强 ,  王曼卓 ,  辛宇 ,  姚振涛 ,  刘庭瑜 ,  吴远大 ,  张大明

IPC: G02B6/14 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12

Abstract: 一种基于聚合物光波导TE10‑TE00/TE20‑TE10紧凑型模式转换器，属于光子集成技术领域。由衬底、下包层、芯层波导和上包层组成，芯层波导被上包层所包覆；下包层和上包层为EpoClad，芯层波导为高度相同的EpoCore，由输入直波导、第一中间非对称锥形波导、第二中间非对称锥形波导、第三中间非对称锥形波导、第四中间非对称锥形波导、第五中间非对称锥形波导、输出对称锥形波导和输出直波导依次连接构成；经过中间非对称锥形波导时，模式的不同分量以不同的有效长度传播，从而引起不同的相位变化，最终得到目标模式；以实现信道传输容量的增加或者应用在模式加/减复用器(MADM)和高阶模式滤波器中。

公开(公告)号：CN118655654A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410712209.4

申请日：2024-06-04

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙小强 ,  张越 ,  王曼卓 ,  方记民 ,  姚振涛 ,  吴远大 ,  张大明

IPC: G02B6/12 ,  G02F1/01 ,  G02F1/00 ,  G02B6/35 ,  G02B6/125

Abstract: 一种用于模分复用系统的模式不敏感2×2热光开关，属于平面光波导器件技术领域。由硅衬底、二氧化硅下包层、聚合物芯层波导和聚合物上包层组成，聚合物芯层波导由相互平行的第一输入直波导和第二输入直波导，第一输入S弯曲波导和第二输入S弯曲波导，相互平行的第一耦合臂直波导、第二耦合臂直波导和第三耦合臂直波导，第一输出S弯曲波导和第二输出弯曲波导，相互平行的第一输出直波导和第二输出直波导构成；在第二耦合臂直波导对应的聚合物上包层之上制备有金属调制电极。本发明通过调整耦合臂直波导的间距和耦合长度以及是否施加调制电极，实现了LP01、LP11a、LP11b三种模式的信道切换，在模分复用应用领域具有重要意义。

公开(公告)号：CN118584585A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410855007.5

申请日：2024-06-28

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙小强 ,  孙朝阳 ,  刘庭瑜 ,  王曼卓 ,  张越 ,  姚振涛 ,  吴远大 ,  张大明

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/125

Abstract: 一种基于级联二氧化硅多模干涉器结构的光模式解复用器，属于二氧化硅集成光学技术领域。从下至上依次由衬底、下包层、芯层和上包层组成，芯层和上包层共同位于下包层之上，且芯层被完全包覆在上包层之中，上包层和下包层的材料为二氧化硅，芯层的材料为掺锗的二氧化硅，衬底材料为硅。芯层由三部分结构级联构成，第一部分为级联的两级Y分支波导，第二部分为4×4多模干涉器，第三部分为2条直波导和一个2×2多模干涉器。本发明所述器件可以在分别输入TE0、TE1、TE2和TE3四种模式时，由四个不同的端口输出TE0模式，从而实现模式的解复用功能。器件采用无源结构，通过波导移相器调整波导中光信号的相位，以实现模式解复用功能。