公开(公告)号：CN117995656A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410169100.0

申请日：2024-02-06

Applicant: 吉林大学

Inventor： 赵毅 ,  国家睿 ,  刘一鸣 ,  彭翀 ,  常奕扬

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  C01G15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种用于日盲紫外光探测器的β‑Ga2O3纳米线及其制备方法，属于日盲紫外光电材料技术领域。其是在高真空腔室内，在蓝宝石基板上沉积Au薄膜或Sn薄膜，再沉积Sn薄膜或Au薄膜，得到Au‑Sn复合薄膜或Sn‑Au复合薄膜；再将蓝宝石基板沉积薄膜面朝下放置在刚玉舟中并添加镓源，将刚玉舟放入管式炉中央对Au‑Sn复合薄膜或Sn‑Au复合薄膜进行热氧化，从而在蓝宝石基板上得到β‑Ga2O3纳米线。本发明实现了对β‑Ga2O3纳米线尺寸及形貌结构的调控，在β‑Ga2O3纳米线的制备过程中引入Sn元素掺杂，为提高具有良好排列和均匀分布的β‑Ga2O3纳米材料的产量和研制高性能的β‑Ga2O3基紫外探测器件提供了一种方案。