公开(公告)号：CN115633509A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211241959.5

申请日：2022-10-11

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王宁 ,  周馨悦 ,  周建恒

IPC: H10K30/50 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明公开一种新型的基于卤化物钙钛矿的中间带太阳电池。本发明通过以A'[Pb2X6]为研究对象，其中A'为N,N'‑二甲基吡嗪(dmpz)、N‑氢‑N'‑甲基吡嗪(Hmpz)或N‑氢‑N'‑乙基吡嗪(Hepz)等，X为碘(I)或溴(Br)等，利用半导体载流子扩散经典模型计算新型的基于卤化物钙钛矿的中间带太阳电池在不同限制因素下的理论光电转换效率(PCE)。通过本发明可以量化不同限制因素对中间带太阳电池理论PCE的影响幅度，了解理论PCE与实际器件PCE之间的差距，为中间带太阳电池的理论PCE提供有用的见解。

公开(公告)号：CN115581077A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211243042.9

申请日：2022-10-11

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王宁 ,  周馨悦 ,  周建恒

IPC: H10K30/50 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/40 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明公开一种基于中空结构的无铅钙钛矿太阳电池，其利用乙二胺(EDA)抑制锡基钙钛矿薄膜ASnI3(其中A为甲脒离子(FA+)、甲胺离子(MA+)或铯离子(Cs+)及其二元与三元混合物)晶内缺陷以实现高效中空结构的无铅钙钛矿太阳电池。本发明通过引入乙二胺(EDA)使部分[SnI6]4‑结构从3D结构中缺失，呈现出非周期性断裂的Sn‑I键，从而形成中空结构。利用本发明可以提高锡空位的形成能，优化电荷传输路径的同时降低薄膜中的缺陷态密度，利用此方法制备的无铅钙钛矿太阳电池器件具有优异的光电性能。