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公开(公告)号：CN101509947B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810051718.8
申请日：2008-12-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的用于金刚石对顶砧上原位电学测量的电极及其制作方法属于高温高压装置的技术领域。在金刚石压砧(8)表面沉积4条电极(1)，分布是自金刚石压砧(8)的砧面到侧面；电极(1)是掺杂硼的金刚石膜；金刚石绝缘层(2)覆盖在金刚石压砧(8)的砧面、侧面和电极(1)上，电极(1)在砧面的端头裸露，裸露位置在样品腔(9)内，电极(1)在侧面的端头裸露，接有电极引线(5)。利用薄膜沉积技术、纳米引晶技术、掩膜技术和光刻手段将金刚石薄膜微电路和金刚石绝缘层同时集成到金刚石压砧表面上。本发明防止了横向剪切力对电极的破坏，克服了高压条件下样品对电极的腐蚀，从而拓宽了高压下电学量原位测量的研究领域。
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公开(公告)号：CN103076501B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310002867.6
申请日：2013-01-05
Applicant: 吉林大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明的金刚石对顶砧上原位介电性质的测量方法属于高压下电磁学测量的技术领域。首先对金刚石对顶砧进行组装：其中在两个金刚石压砧的砧面分别制作出圆形电极，复合绝缘垫片的样品腔内侧壁有绝缘层；其次进行测量：采用频率响应分析仪，得到在不同压力下的阻抗实部和阻抗虚部的关系图；最后进行数据处理：利用Zview软件和介电性质相关的电磁学量计算公式，得到不同压力下的相对介电常数εr、介电常数实部ε′、介电常数虚部ε″及损耗tanθ等。本发明保证了电极的形状和位置固定，同时考虑到边缘效应对测量结果影响给出修正；所制备的复合绝缘垫片保证了压腔内壁的完全绝缘，使得高压下原位精确测量物质的介电性质成为可能。
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公开(公告)号：CN103076501A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310002867.6
申请日：2013-01-05
Applicant: 吉林大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明的金刚石对顶砧上原位介电性质的测量方法属于高压下电磁学测量的技术领域。首先对金刚石对顶砧进行组装：其中在两个金刚石压砧的砧面分别制作出圆形电极，复合绝缘垫片的样品腔内侧壁有绝缘层；其次进行测量：采用频率响应分析仪，得到在不同压力下的阻抗实部和阻抗虚部的关系图；最后进行数据处理：利用Zview软件和介电性质相关的电磁学量计算公式，得到不同压力下的相对介电常数εr、介电常数实部ε′、介电常数虚部ε″及损耗tanθ等。本发明保证了电极的形状和位置固定，同时考虑到边缘效应对测量结果影响给出修正；所制备的复合绝缘垫片保证了压腔内壁的完全绝缘，使得高压下原位精确测量物质的介电性质成为可能。
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公开(公告)号：CN102288824A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110126195.0
申请日：2011-05-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的高压原位阻抗谱测量的电极及其制备方法和应用属于高压条件下电学量原位测量的技术领域。电极组成有在金刚石压砧(2)表面和金属膜电极(1)上沉积的氧化铝保护层(3)；金属膜电极(1)在金刚石压砧(2)的砧面中心呈圆形，在金刚石压砧(2)的侧面的金属膜电极(1)部分粘接铜丝导线(5)；金属垫片(4)作另一个电极，与金属膜电极(1)一起构成轴对称的电极体系。采用磁控溅射方法镀钼膜、沉积氧化铝膜、光刻和化学腐蚀的方法制作电极。本发明解决了电极固定以及样品腔绝缘等问题，可以忽略体系的寄生电容和寄生电感对测量结果的影响，使得高压下用金刚石对顶砧原位测量物质阻抗谱成为可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101509947A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200810051718.8
申请日：2008-12-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的用于金刚石对顶砧上原位电学测量的电极及其制作方法属于高温高压装置的技术领域。在金刚石压砧(8)表面沉积4条电极(1)，分布是自金刚石压砧(8)的砧面到侧面；电极(1)是掺杂硼的金刚石膜；金刚石绝缘层(2)覆盖在金刚石压砧(8)的砧面、侧面和电极(1)上，电极(1)在砧面的端头裸露，裸露位置在样品腔(9)内，电极(1)在侧面的端头裸露，接有电极引线(5)。利用薄膜沉积技术、纳米引晶技术、掩膜技术和光刻手段将金刚石薄膜微电路和金刚石绝缘层同时集成到金刚石压砧表面上。本发明防止了横向剪切力对电极的破坏，克服了高压条件下样品对电极的腐蚀，从而拓宽了高压下电学量原位测量的研究领域。
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公开(公告)号：CN102288844B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110126216.9
申请日：2011-05-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的在金刚石对顶砧上集成电极的方法属于高温高压装置的技术领域。本发明利用纳米引晶技术、薄膜沉积技术和离子束刻蚀技术，将掺硼金刚石电极制备到金刚石压砧上。所述的薄膜沉积，有用作电极的掺硼金刚石膜的沉积和制备过程中用作保护层的氧化铝膜的沉积。本发明采用氩离子束对整个金刚石压砧进行轰击，最后使设计的电极间绝缘带处的掺硼金刚石膜断开形成电极，避免了在高温条件下硼掺杂金刚石膜的选择性沉积造成的掩膜破裂使电极间导通的问题，提高在金刚石压砧上制备金刚石电极的成功率。
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公开(公告)号：CN102183693B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110021087.7
申请日：2011-01-19
Applicant: 吉林大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明的高压原位电阻率测量的电极及其制作方法属于高压装置的技术领域。两条电极(3)沉积在一颗金刚石压砧(1)上，在金刚石压砧(1)的砧面和侧面再沉积有绝缘保护层(4)，电极的金属引线(5)粘在金刚石压砧(1)侧面裸露的电极端头上；两条电极(3)在金刚石压砧(1)砧面的端头分别是圆形和弓形；放置在两颗金刚石压砧(1)之间的金属垫片(6)作为第三电极。电极(3)的制作方法有沉积金属钼、制作电极、沉积氧化铝绝缘保护层和电极引线制作的步骤。利用此电极进行电阻率测量时，不用考虑样品腔内壁不绝缘带来的实验误差；不需要对样品的厚度进行测量，也不用考虑由厚度测量不准确带来的实验误差。
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公开(公告)号：CN102288844A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110126216.9
申请日：2011-05-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的在金刚石对顶砧上集成电极的方法属于高温高压装置的技术领域。本发明利用纳米引晶技术、薄膜沉积技术和离子束刻蚀技术，将掺硼金刚石电极制备到金刚石压砧上。所述的薄膜沉积，有用作电极的掺硼金刚石膜的沉积和制备过程中用作保护层的氧化铝膜的沉积。本发明采用氩离子束对整个金刚石压砧进行轰击，最后使设计的电极间绝缘带处的掺硼金刚石膜断开形成电极，避免了在高温条件下硼掺杂金刚石膜的选择性沉积造成的掩膜破裂使电极间导通的问题，提高在金刚石压砧上制备金刚石电极的成功率。
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公开(公告)号：CN102183693A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110021087.7
申请日：2011-01-19
Applicant: 吉林大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明的高压原位电阻率测量的电极及其制作方法属于高压装置的技术领域。两条电极(3)沉积在一颗金刚石压砧(1)上，在金刚石压砧(1)的砧面和侧面再沉积有绝缘保护层(4)，电极的金属引线(5)粘在金刚石压砧(1)侧面裸露的电极端头上；两条电极(3)在金刚石压砧(1)砧面的端头分别是圆形和弓形；放置在两颗金刚石压砧(1)之间的金属垫片(6)作为第三电极。电极(3)的制作方法有沉积金属钼、制作电极、沉积氧化铝绝缘保护层和电极引线制作的步骤。利用此电极进行电阻率测量时，不用考虑样品腔内壁不绝缘带来的实验误差；不需要对样品的厚度进行测量，也不用考虑由厚度测量不准确带来的实验误差。
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