公开(公告)号：CN107490825B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201710819590.4

申请日：2017-09-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董玮 ,  单义昆 ,  张歆东

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/13 ,  G02B6/122 ,  H01S3/30

Abstract: 一种具有超高受激布里渊散射增益的半悬空硫化砷条形波导及其制备方法，属于集成光波导技术领域。由半悬空硫化砷波导芯层、脊型二氧化硅和硅衬底组成，半悬空硫化砷波导芯层制备在脊型二氧化硅上，而脊型二氧化硅制备在硅衬底上；半悬空硫化砷波导芯层的材料是As2S3，横截面是正方形，边长为0.9～1.3μm；支撑结构为脊型二氧化硅，脊型二氧化硅的脊宽度为0.1～0.3μm，脊高度1～3μm，半悬空硫化砷波导芯层、脊型二氧化硅和硅衬底的长度一致，为3～6cm，光沿着波导的长度方向传输。硅衬底为(100)晶向，其厚度为200～500微米；脊型二氧化硅的中心对称轴位于半悬空硫化砷波导芯层的中心对称位置处。采用上述方法的硫化砷半悬空条形波导，可以实现超高的受激布里渊增益。

公开(公告)号：CN107490825A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710819590.4

申请日：2017-09-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董玮 ,  单义昆 ,  张歆东

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/13 ,  G02B6/122 ,  H01S3/30

CPC classification number: G02B6/136 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  H01S3/30

Abstract: 一种具有超高受激布里渊散射增益的半悬空硫化砷条形波导及其制备方法，属于集成光波导技术领域。由半悬空硫化砷波导芯层、脊型二氧化硅和硅衬底组成，半悬空硫化砷波导芯层制备在脊型二氧化硅上，而脊型二氧化硅制备在硅衬底上；半悬空硫化砷波导芯层的材料是As2S3，横截面是正方形，边长为0.9～1.3μm；支撑结构为脊型二氧化硅，脊型二氧化硅的脊宽度为0.1～0.3μm，脊高度1～3μm，半悬空硫化砷波导芯层、脊型二氧化硅和硅衬底的长度一致，为3～6cm，光沿着波导的长度方向传输。硅衬底为(100)晶向，其厚度为200～500微米；脊型二氧化硅的中心对称轴位于半悬空硫化砷波导芯层的中心对称位置处。采用上述方法的硫化砷半悬空条形波导，可以实现超高的受激布里渊增益。