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公开(公告)号：CN119446233A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411498535.6
申请日：2024-10-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了基于飞秒激光直写的叠加重写Type X结构提升光存储性能的方法，属于光存储技术领域，包括：步骤一：确定Type X结构的加工参数窗口；步骤二：确定种子脉冲参数和写入脉冲参数；步骤三：随机的数据写入和读出；本发明利用Type X的可擦除重写特性将每个存储点叠加重写，不仅可以绕过光学衍射极限的限制，将飞秒激光永久光存储技术的存储容量提升至少一个量级，还可以降低每个存储点所需的脉冲数，提升数据写入速度。
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