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公开(公告)号:CN107098819A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201710307925.4
申请日:2017-05-04
Applicant: 吉林大学
IPC: C07C211/54 , C07C209/68 , C08G73/10
CPC classification number: C07C211/54 , C07C209/68 , C08G73/10 , C08G73/1003
Abstract: 本发明公开了一种含苯乙炔基三胺单体及其制备方法和应用,本发明属于高分子材料的技术领域。本发明所提供的三胺单体是三(4‑(2‑(4‑氨基苯基)乙炔基)苯基)胺,由于该单体中引入了具有良好的光、电性能的三苯胺结构以及具有共轭稳定性的苯基乙炔基基团,以此单体合成的聚合物具有良好的光电性能。并且由于本发明中所制备的超支化聚酰亚胺的分子结构支化度高,在分子内部存在着许多纳米级别的空腔,利用这些空腔,可以将对光电性能具有影响的纳米粒子引入到超支化聚合物中,有利于新型光电功能材料的开发与应用。
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公开(公告)号:CN107098819B
公开(公告)日:2019-06-25
申请号:CN201710307925.4
申请日:2017-05-04
Applicant: 吉林大学
IPC: C07C211/54 , C07C209/68 , C08G73/10
Abstract: 本发明公开了一种含苯乙炔基三胺单体及其制备方法和应用,本发明属于高分子材料的技术领域。本发明所提供的三胺单体是三(4‑(2‑(4‑氨基苯基)乙炔基)苯基)胺,由于该单体中引入了具有良好的光、电性能的三苯胺结构以及具有共轭稳定性的苯基乙炔基基团,以此单体合成的聚合物具有良好的光电性能。并且由于本发明中所制备的超支化聚酰亚胺的分子结构支化度高,在分子内部存在着许多纳米级别的空腔,利用这些空腔,可以将对光电性能具有影响的纳米粒子引入到超支化聚合物中,有利于新型光电功能材料的开发与应用。
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公开(公告)号:CN106008185A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610389172.1
申请日:2016-06-03
Applicant: 吉林大学
IPC: C07C45/64 , C07C49/84 , C07C201/12 , C07C205/38 , C07C209/36 , C07C217/84 , C08G73/10
CPC classification number: C07C45/64 , C07C49/84 , C07C201/12 , C07C205/38 , C07C209/36 , C07C217/84 , C08G73/1039 , C08G73/1046
Abstract: 本发明提供了一种用于合成超支化聚酰亚胺的四胺单体,解决了现有的聚酰亚胺热稳定性、成膜性等热性能和力学性能较差的问题,本发明通过将羰基及醚链引入四胺单体中,使得到的聚合物有很好的溶解性能,热性能及力学性能。另外,由于新的有电活性单体的合成路线长,难度大,本发明利用超支化聚合物大量端基的特点,引入具有电化学活性的二茂铁基团,利用所述四胺单体与二酐及(4‑氨基)苯基二茂铁反应,可以很容易制得具有电活性的二茂铁封端的超支化支化聚酰亚胺,该聚合物可以作为电存储材料应用于信息存储领域。
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