一种分子掺杂手段提高石墨相氮化碳光催化性能的方法

    公开(公告)号:CN113813979A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202111106943.9

    申请日:2021-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种分子掺杂手段提高石墨相氮化碳光催化性能的方法,包括如下步骤:将3(4‑氨基苯基)胺与三聚氰胺混合加入到无水乙醇中,混合物中三聚氰胺的加入量为1g,充分搅拌2小时后置于45℃真空烘箱至混合物完全干燥,得到淡紫色沉淀物,再经高温煅烧过程获得三苯胺基修饰的g‑C3N4光催化剂,无水乙醇最适添加量为2mL;高温煅烧过程升温速率设定为5℃/min,保温温度优选为550℃,保温时间优选为4小时;本发明,通过三苯胺基修饰提高g‑C3N4Π共轭体系电子密度,提高电子离域程度,优化g‑C3N4的电学性质,提供操作简便、可见光吸收能力和光生电荷载流子分离、迁移效率可调的提高g‑C3N4光催化性能的方法。

    一种提高石墨相氮化碳光催化性能的方法

    公开(公告)号:CN114210354A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111106037.9

    申请日:2021-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种提高石墨相氮化碳光催化性能的方法,包括如下步骤:将钼前驱体与g‑C3N4前驱体混合加入到去离子水中,混合物中g‑C3N4前驱体的量为500mg,充分搅拌2小时后置于45℃真空烘箱至混合物完全干燥,再经高温煅烧过程获得双价态钼离子掺杂的g‑C3N4光催化剂;去离子水添加量为2mL;高温煅烧过程升温速率设定为5℃/min,保温温度为520℃,保温时间为2小时;通过改变加入钼前驱体的量来调节g‑C3N4基质中掺杂的钼元素质量分数:钼前驱体的量为10μmol、20μmol和40μmol时g‑C3N4基质中掺杂的钼元素质量分数分别为0.21wt.%、0.41wt.%和0.89wt.%;本发明,通过+2价和+4价双价态钼离子掺杂优化g‑C3N4的电学性质,提供操作简便、光生电荷载流子分离和迁移效率可调的提高g‑C3N4光催化性能的方法。

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