一种ZIF8衍生半导体异质结-银SERS基底及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113567414B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202110748445.8

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明涉及纳米光子检测技术领域,公开了一种ZIF8衍生半导体异质结‑银SERS基底的制备方法及应用,所述ZIF8衍生半导体异质结‑银SERS基底为三维四方纳米棒阵列结构,其以TiO2@ZnO异质结构作为基底,所述TiO2@ZnO异质结构的表面均匀附着有银纳米颗粒。本发明提供的利用水热法在FTO膜材中生长出均匀有序的三维TiO2纳米棒,然后通过浸渍法在TiO2表面生长ZIF‑8,进而经过煅烧得到TiO2@ZnO异质结构,最后通过银镜反应将银纳米颗粒附着在TiO2@ZnO异质结构表面,得到的ZIF8衍生半导体异质结‑银SERS基底(TiO2@ZnO@Ag)在灵敏度、稳定性和均匀性方面均表现出良好的SERS性能,该基底在农药分子定性和定量分析方面具有很大的应用潜力。

    一种ZIF8衍生半导体异质结-银SERS基底及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113567414A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202110748445.8

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明涉及纳米光子检测技术领域,公开了一种ZIF8衍生半导体异质结‑银SERS基底的制备方法及应用,所述ZIF8衍生半导体异质结‑银SERS基底为三维四方纳米棒阵列结构,其以TiO2@ZnO异质结构作为基底,所述TiO2@ZnO异质结构的表面均匀附着有银纳米颗粒。本发明提供的利用水热法在FTO膜材中生长出均匀有序的三维TiO2纳米棒,然后通过浸渍法在TiO2表面生长ZIF‑8,进而经过煅烧得到TiO2@ZnO异质结构,最后通过银镜反应将银纳米颗粒附着在TiO2@ZnO异质结构表面,得到的ZIF8衍生半导体异质结‑银SERS基底(TiO2@ZnO@Ag)在灵敏度、稳定性和均匀性方面均表现出良好的SERS性能,该基底在农药分子定性和定量分析方面具有很大的应用潜力。

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