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公开(公告)号：CN105063719B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510508852.6
申请日：2015-08-18
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种同质纳米晶修饰TiO2纳米管阵列及其制备方法，其特征在于：是在构成TiO2纳米管阵列的各TiO2纳米管的内壁上沉积生长有具有单晶结构的TiO2纳米晶；制备时，首先采用溶胶浸渍法在TiO2纳米管阵列表面沉积TiO2胶体粒子，然后通过溶剂热处理过程实现TiO2纳米管阵列中的胶体粒子向纳米晶的转化，从而获得同质纳米晶修饰TiO2纳米管阵列。本发明的TiO2纳米管阵列管内壁上生长有具有单晶结构的同质纳米晶，相比较原TiO2纳米管阵列具有更高的比表面积和更高的表面反应活性，从而显示出更高的光电转化效率和更高的光催化、光电化学活性。
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公开(公告)号：CN105013459B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510378068.8
申请日：2015-06-29
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高度择优取向的锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜及其制备方法，其特征在于：TiO2纳米管阵列膜中的锐钛矿相具有强烈的择优取向，其(004)晶面大致平行于阵列膜表面。本发明的高度择优取向的TiO2纳米管类似于准单晶结构，相比较常规的多晶TiO2纳米管具有低的缺陷复合中心，光生电子空穴复合几率低，从而具有更高的光电转化效率和更高的光催化、光电化学活性。
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公开(公告)号：CN105063719A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510508852.6
申请日：2015-08-18
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种同质纳米晶修饰TiO2纳米管阵列及其制备方法，其特征在于：是在构成TiO2纳米管阵列的各TiO2纳米管的内壁上沉积生长有具有单晶结构的TiO2纳米晶；制备时，首先采用溶胶浸渍法在TiO2纳米管阵列表面沉积TiO2胶体粒子，然后通过溶剂热处理过程实现TiO2纳米管阵列中的胶体粒子向纳米晶的转化，从而获得同质纳米晶修饰TiO2纳米管阵列。本发明的TiO2纳米管阵列管内壁上生长有具有单晶结构的同质纳米晶，相比较原TiO2纳米管阵列具有更高的比表面积和更高的表面反应活性，从而显示出更高的光电转化效率和更高的光催化、光电化学活性。
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公开(公告)号：CN105013459A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510378068.8
申请日：2015-06-29
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高度择优取向的锐钛矿型TiO2纳米管阵列膜及其制备方法，其特征在于：TiO2纳米管阵列膜中的锐钛矿相具有强烈的择优取向，其(004)晶面大致平行于阵列膜表面。本发明的高度择优取向的TiO2纳米管类似于准单晶结构，相比较常规的多晶TiO2纳米管具有低的缺陷复合中心，光生电子空穴复合几率低，从而具有更高的光电转化效率和更高的光催化、光电化学活性。
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