公开(公告)号：CN109841570B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201811061472.2

申请日：2018-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡富村 ,  黄同隽 ,  陈奕志 ,  郑志成

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置、制造半导体装置的方法及用于执行半导体装置的方法。实施于包含基板的结构上的方法，此基板具有用于逻辑装置的第一区域和用于射频(RF)装置的第二区域、位于第一区域上方的第一鳍片和第一栅极结构、位于第二区域上方的第二鳍片和第二栅极结构以及位于栅极结构侧壁上方的栅极间隔物。此方法包含对第一鳍片进行第一蚀刻制程以形成第一凹口；以及对第二鳍片进行第二蚀刻制程以形成第二凹口。第一和第二蚀刻制程被调整为在至少一参数上不同，使得第一凹口比第二凹口浅，且第一凹口与第一栅极结构之间纵向沿着第一鳍片的第一距离小于第二凹口与第二栅极结构之间纵向沿着第二鳍片的第二距离。

公开(公告)号：CN109841570A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811061472.2

申请日：2018-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡富村 ,  黄同隽 ,  陈奕志 ,  郑志成

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置、制造半导体装置的方法及用于执行半导体装置的方法。实施于包含基板的结构上的方法，此基板具有用于逻辑装置的第一区域和用于射频(RF)装置的第二区域、位于第一区域上方的第一鳍片和第一栅极结构、位于第二区域上方的第二鳍片和第二栅极结构以及位于栅极结构侧壁上方的栅极间隔物。此方法包含对第一鳍片进行第一蚀刻制程以形成第一凹口；以及对第二鳍片进行第二蚀刻制程以形成第二凹口。第一和第二蚀刻制程被调整为在至少一参数上不同，使得第一凹口比第二凹口浅，且第一凹口与第一栅极结构之间纵向沿着第一鳍片的第一距离小于第二凹口与第二栅极结构之间纵向沿着第二鳍片的第二距离。