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公开(公告)号：CN109786393A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810300232.7
申请日：2018-04-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 颜于华 , 高境鸿 , 王柏仁 , 蔡宗翰
IPC: H01L27/12
Abstract: 一种集成电路包含一半导体基底、一隔离区、一第一主动元件以及至少一深沟槽隔离结构。隔离区是位于半导体基底中。第一主动元件是位于半导体基底上。深沟槽隔离结构从隔离区的一底部朝向半导体基底的一底部延伸。深沟槽隔离结构具有至少一气隙于其中。
