公开(公告)号：CN109585551B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201810316185.5

申请日：2018-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈维邦 ,  郑志成 ,  张简旭珂 ,  郭廷晃

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明揭露一种半导体结构及其制造方法。一种具有不同栅极间距的半导体结构的非对称临界多间距布局，以减轻栅极间的寄生电容，从而改善截止频率。半导体结构可以包括鳍片于基板上。半导体结构还可以包括形成在鳍片上并被第一间隔分隔的第一栅极结构和第二栅极结构。半导体结构还可以包括在第一栅极结构与第二栅极结构之间的鳍片上形成的第三栅极结构。第三栅极结构可以与第一栅极结构分隔第二间隔并与第二栅极结构分隔大于第二间隔的第三间隔。半导体结构还包括形成在第一栅极结构与第三栅极结构之间的源极区域和形成在第三栅极结构与第二栅极结构之间的漏极区域。

公开(公告)号：CN109585551A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810316185.5

申请日：2018-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈维邦 ,  郑志成 ,  张简旭珂 ,  郭廷晃

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明揭露一种半导体结构及其制造方法。一种具有不同栅极间距的半导体结构的非对称临界多间距布局，以减轻栅极间的寄生电容，从而改善截止频率。半导体结构可以包括鳍片于基板上。半导体结构还可以包括形成在鳍片上并被第一间隔分隔的第一栅极结构和第二栅极结构。半导体结构还可以包括在第一栅极结构与第二栅极结构之间的鳍片上形成的第三栅极结构。第三栅极结构可以与第一栅极结构分隔第二间隔并与第二栅极结构分隔大于第二间隔的第三间隔。半导体结构还包括形成在第一栅极结构与第三栅极结构之间的源极区域和形成在第三栅极结构与第二栅极结构之间的漏极区域。

公开(公告)号：CN107134450A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201610919986.1

申请日：2016-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭廷晃 ,  罗家彬 ,  陈维邦 ,  蒋振劼 ,  吴启明 ,  郑志成

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/088 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、p型MOS晶体管、n型MOS晶体管和固化的可流动的氧化物层。衬底包括第一区域和第二区域。p型MOS晶体管位于第一区域中。n型MOS晶体管位于第二区域中。固化的可流动的氧化物层覆盖p型MOS晶体管和n型MOS晶体管，其中施加到p型MOS晶体管的固化的可流动的氧化物层的第一应变不同于施加到n型MOS晶体管的固化的可流动的氧化物层的第二应变，并且它们之间的差异大于0.002Gpa。

公开(公告)号：CN109427894A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711217315.1

申请日：2017-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈维邦 ,  郭廷晃 ,  张简旭珂 ,  郑志成

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。方法包含在基底上形成多个鳍式结构，且基底包含第一区和第二区。方法包含形成多个隔离结构环绕鳍式结构，且隔离结构中每一个的顶面低于鳍式结构中每一个的顶面，以及隔离结构包含在第一区上的第一隔离结构和在第二区上的第二隔离结构。方法包含在第一隔离结构上形成掩模层以暴露出第二隔离结构，以及移除第二隔离结构的一部分，使得第二隔离结构中每一个的顶面低于第一隔离结构中每一个的顶面。

公开(公告)号：CN109411338A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201711037113.9

申请日：2017-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈维邦 ,  郭廷晃 ,  张简旭珂 ,  郑志成 ,  罗光耀

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/336

Abstract: 在制作半导体元件的方法中，提供基材。形成硬罩幕与罩幕层于基材的第一区与第二区上。利用硬罩幕与罩幕层凹入基材，以形成鳍状结构于第一区中、以及凸起结构于第二区中。形成第一隔离结构与第二隔离结构于鳍状结构的相对侧壁的下部与凸起结构的相对侧壁上。形成第一栅极结构在部分的鳍状结构上、以及第二栅极结构在部分的凸起结构上。形成第一源极以及第一漏极于第一栅极结构的相对二侧上、以及第二源极以及第二漏极于第二栅极结构的相对二侧上。利用此方法，鳍式场效晶体管结构与平面场效晶体管结构可在相同基材上同时制作，可简化半导体元件的制程，并微型化半导体元件。

公开(公告)号：CN109427894B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201711217315.1

申请日：2017-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈维邦 ,  郭廷晃 ,  张简旭珂 ,  郑志成

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。方法包含在基底上形成多个鳍式结构，且基底包含第一区和第二区。方法包含形成多个隔离结构环绕鳍式结构，且隔离结构中每一个的顶面低于鳍式结构中每一个的顶面，以及隔离结构包含在第一区上的第一隔离结构和在第二区上的第二隔离结构。方法包含在第一隔离结构上形成掩模层以暴露出第二隔离结构，以及移除第二隔离结构的一部分，使得第二隔离结构中每一个的顶面低于第一隔离结构中每一个的顶面。

公开(公告)号：CN109411338B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201711037113.9

申请日：2017-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈维邦 ,  郭廷晃 ,  张简旭珂 ,  郑志成 ,  罗光耀

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/336

Abstract: 在制作半导体元件的方法中，提供基材。形成硬罩幕与罩幕层于基材的第一区与第二区上。利用硬罩幕与罩幕层凹入基材，以形成鳍状结构于第一区中、以及凸起结构于第二区中。形成第一隔离结构与第二隔离结构于鳍状结构的相对侧壁的下部与凸起结构的相对侧壁上。形成第一栅极结构在部分的鳍状结构上、以及第二栅极结构在部分的凸起结构上。形成第一源极以及第一漏极于第一栅极结构的相对二侧上、以及第二源极以及第二漏极于第二栅极结构的相对二侧上。利用此方法，鳍式场效晶体管结构与平面场效晶体管结构可在相同基材上同时制作，可简化半导体元件的制程，并微型化半导体元件。