公开(公告)号：CN115312494A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210853744.2

申请日：2022-07-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高境鸿 ,  邓贵宇

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：互连结构，位于衬底上；钝化层，设置在互连结构上；第一通孔、第二通孔和第三通孔，设置在钝化层中并且连接至互连结构，第一通孔、第二通孔和第三通孔的每个具有沿第一方向纵向取向的细长形状；以及第一焊盘，沿第一方向纵向取向并且接合在第一通孔、第二通孔和第三通孔上。

公开(公告)号：CN115458477A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210579304.2

申请日：2022-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高境鸿 ,  邓贵宇 ,  李梓光

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明实施例涉及用于金属图案的钝化层结构。本文提供了一种半导体元件及其制造方法。前述半导体元件可以包含衬底、第一通孔、第一衬垫、第二衬垫以及第一钝化层。所述第一衬垫可以位于所述衬底上方。所述第二衬垫可以位于所述衬底上方。所述第二衬垫可以平行于所述第一衬垫。所述第一钝化层可以围绕所述第一衬垫以及所述第二衬垫。第一钝化层可以包含位于所述第一衬垫上的第一部分。所述第一钝化层可以包含位于所述第二衬垫上的第二部分。所述第一钝化层的所述第一部分的厚度可以超过所述第一衬垫的高度。所述第一钝化层的所述第二部分的厚度可以超过所述第二衬垫的高度。