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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102412257B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110049461.4
申请日：2011-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/22
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器元件及其制法，包括：一第一铁磁性层磁性固定且位于一基板的一第一区域中；一第二铁磁性层近似于第一铁磁性层，以及一阻挡层介于第一铁磁性层与第二铁磁性层的第一部分之间。第二铁磁性层包括一第一部分为磁性自由且位于第一区域中；一第二部分磁性固定于一第一方向且位于基板的一第二区域中，其中第二区域从一第一侧边与第一区域接触；以及一第三部分磁性固定于一第二方向且位于基板的一第三区域中，其中第三区域从一第二侧边与第一区域接触。本发明可降低写入电流而不会劣化(degrading)磁阻(magnetoresistance，MR)及/或热稳定性。
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公开(公告)号：CN101064184A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710101076.3
申请日：2007-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16 , G11C29/50 , G11C2029/5002
Abstract: 非易失性磁性随机存取存储(MRAM)单元及其写入与制造方法。该MRAM单元包括字线，位线，以及磁性薄膜存储元件设置于该字线与位线的交叉处。该磁性薄膜存储元件包括由烯土元素及过渡金属元素构成的合金。被施加加热电流时，该字线可进行加热运作以加热该薄膜存储元件。加热该磁性薄膜存储元件至既定临界温度减低其矫顽性，而得以在施加磁场时容许磁性状态的翻转。磁性薄膜元件的磁性状态可依照异常霍尔效应原理而决定。
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公开(公告)号：CN102412257A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110049461.4
申请日：2011-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器元件及其制法，包括：一第一铁磁性层磁性固定且位于一基板的一第一区域中；一第二铁磁性层近似于第一铁磁性层，以及一阻挡层介于第一铁磁性层与第二铁磁性层的第一部分之间。第二铁磁性层包括一第一部分为磁性自由且位于第一区域中；一第二部分磁性固定于一第一方向且位于基板的一第二区域中，其中第二区域从一第一侧边与第一区域接触；以及一第三部分磁性固定于一第二方向且位于基板的一第三区域中，其中第三区域从一第二侧边与第一区域接触。本发明可降低写入电流而不会劣化(degrading)磁阻(magnetoresistance，MR)及/或热稳定性。
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公开(公告)号：CN100424753C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610074474.6
申请日：2006-04-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11B5/3929 , B82Y10/00 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明是有关于一种磁阻结构，例如用为磁场感应器中的自旋阀(Spin-valve)或巨磁阻(Giant MagnetoResistance；GMR)堆叠。此磁阻结构使用扭转耦合(Twisted Coupling)去诱发自由层与钉住层(PinnedLayer)间的垂直磁化对列。自由与钉住层的铁磁性层与钉住层是利用具有实质平行交换偏压方向的抗铁磁性层达成而交换耦合。因此，实施例可使抗铁磁性层由相同材料所形成和/或具有相同的绝缘温度(BlockingTemperature)。自由层与钉住层其中至少一者更包括第二抗铁磁性层与位于两抗铁磁性层之间的绝缘层(例如奈米氧化层)。此绝缘层导致两抗铁磁性层间的扭转耦合，并施转相对于另一个磁化方向的90度的磁化方向。
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公开(公告)号：CN1851807A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610074474.6
申请日：2006-04-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11B5/3929 , B82Y10/00 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明是有关于一种磁阻结构，例如用为磁场感应器中的自旋阀(Spin－valve)或巨磁阻(Giant Magne toResistance；GMR)堆叠。此磁阻结构使用扭转耦合(Twisted Coupling)去诱发自由层与钉住层(Pinned Layer)间的垂直磁化对列。自由与钉住层的铁磁性层与钉住层是利用具有实质平行交换偏压方向的抗铁磁性层达成而交换耦合。因此，实施例可使抗铁磁性层由相同材料所形成和/或具有相同的绝缘温度(Blocking Temperature)。自由层与钉住层其中至少一者更包括第二抗铁磁性层与位于两抗铁磁性层之间的绝缘层(例如奈米氧化层)。此绝缘层导致两抗铁磁性层间的扭转耦合，并施转相对于另一个磁化方向的90度的磁化方向。
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