公开(公告)号：CN106816438B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201611092388.8

申请日：2016-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李陈毅 ,  黄士芬 ,  王培伦 ,  何大椿 ,  钟于彰 ,  穆罕默德·阿尔-夏欧卡 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明的一些实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一晶体管，被配置为包括第一阈值电压水平。该第一晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第一部件。第二晶体管被配置为包括与第一阈值电压水平不同的第二阈值电压水平。该第二晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第二部件。至少一个额外部件设置在第二部件上方。该至少一个额外部件包括与第一导电类型相反的第二导电类型。连接第一晶体管和第二晶体管以通过第一阈值电压水平和第二阈值电压水平之间的期望电压差确定至少一个额外部件的数量。本发明还提供了另一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN105988500B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201510099948.1

申请日：2015-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 穆罕默德·阿尔-夏欧卡 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: G05F1/567

CPC classification number: G05F1/46 ,  G05F3/242 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明提供了一种基准电流源，包括跟踪电压生成器。跟踪电压生成器包括翻转栅极晶体管和第一晶体管，第一晶体管具有第一漏电流，其中第一晶体管以Vgs减去布置与翻转栅极晶体管连接。跟踪电压生成器还包括被配置为输出跟踪电压的输出节点；和连接至输出节点的第二晶体管，第二晶体管具有第二漏电流。基准电流源还包括被配置为接收跟踪电压并且输出放大信号的放大器。基准电流源还包括被配置为接收放大信号并且引导基准电流流过其中的控制晶体管。基准电流源还包括与控制晶体管串联连接的控制电阻器。本发明还提供了一种使用基准电流源的方法。

公开(公告)号：CN104850161B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201410181644.5

申请日：2014-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 穆罕默德·阿尔-夏欧卡 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: G05F1/56

CPC classification number: G05F3/262 ,  G05F3/24

Abstract: 本发明提供了组合栅极基准电压源及其使用方法。基准电压源，该基准电压源包括配置为接收第一电流的组合栅极晶体管。该基准电压源还包括配置为接收第二电流的第一晶体管，该第一晶体管具有第一泄漏电流，其中，该第一晶体管以Vgs差分布置的方式与组合栅极晶体管连接。该基准电压源还包括配置为输出基准电压的输出节点，该输出节点连接至第一晶体管。该基准电压源还包括连接至输出节点的第二晶体管，该第二晶体管具有第二泄漏电流，其中，第一泄漏电流基本上等于第二泄漏电流。

公开(公告)号：CN105988500A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510099948.1

申请日：2015-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 穆罕默德·阿尔-夏欧卡 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: G05F1/567

CPC classification number: G05F1/46 ,  G05F3/242 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明提供了一种基准电流源，包括跟踪电压生成器。跟踪电压生成器包括翻转栅极晶体管和第一晶体管，第一晶体管具有第一漏电流，其中第一晶体管以Vgs减去布置与翻转栅极晶体管连接。跟踪电压生成器还包括被配置为输出跟踪电压的输出节点；和连接至输出节点的第二晶体管，第二晶体管具有第二漏电流。基准电流源还包括被配置为接收跟踪电压并且输出放大信号的放大器。基准电流源还包括被配置为接收放大信号并且引导基准电流流过其中的控制晶体管。基准电流源还包括与控制晶体管串联连接的控制电阻器。本发明还提供了一种使用基准电流源的方法。

公开(公告)号：CN106816438A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201611092388.8

申请日：2016-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李陈毅 ,  黄士芬 ,  王培伦 ,  何大椿 ,  钟于彰 ,  穆罕默德·阿尔-夏欧卡 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0883 ,  G05F3/08 ,  G05F3/242 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431

Abstract: 本发明的一些实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一晶体管，被配置为包括第一阈值电压水平。该第一晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第一部件。第二晶体管被配置为包括与第一阈值电压水平不同的第二阈值电压水平。该第二晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第二部件。至少一个额外部件设置在第二部件上方。该至少一个额外部件包括与第一导电类型相反的第二导电类型。连接第一晶体管和第二晶体管以通过第一阈值电压水平和第二阈值电压水平之间的期望电压差确定至少一个额外部件的数量。本发明还提供了另一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104850161A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410181644.5

申请日：2014-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 穆罕默德·阿尔-夏欧卡 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: G05F1/56

CPC classification number: G05F3/262 ,  G05F3/24

Abstract: 本发明提供了组合栅极基准电压源及其使用方法。基准电压源，该基准电压源包括配置为接收第一电流的组合栅极晶体管。该基准电压源还包括配置为接收第二电流的第一晶体管，该第一晶体管具有第一泄漏电流，其中，该第一晶体管以Vgs差分布置的方式与组合栅极晶体管连接。该基准电压源还包括配置为输出基准电压的输出节点，该输出节点连接至第一晶体管。该基准电压源还包括连接至输出节点的第二晶体管，该第二晶体管具有第二泄漏电流，其中，第一泄漏电流基本上等于第二泄漏电流。