公开(公告)号：CN103811504A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310157166.X

申请日：2013-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 粘骏楠 ,  张世杰 ,  郑志成 ,  张简旭珂 ,  洪育德

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/1462

Abstract: 本发明公开了对CMOS图像传感器的HfO2/SiO2-Si界面的改进。一种半导体器件包括衬底和设置在衬底上的抗反射涂层，该抗反射涂层和衬底形成界面，在该界面处的碳浓度和氯浓度小于氧浓度。

公开(公告)号：CN103811504B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201310157166.X

申请日：2013-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 粘骏楠 ,  张世杰 ,  郑志成 ,  张简旭珂 ,  洪育德

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/1462

Abstract: 本发明公开了对CMOS图像传感器的HfO2/SiO2‑Si界面的改进。一种半导体器件包括衬底和设置在衬底上的抗反射涂层，该抗反射涂层和衬底形成界面，在该界面处的碳浓度和氯浓度小于氧浓度。