公开(公告)号：CN1121059C

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN98124128.X

申请日：1998-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林大成

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/31

Abstract: 一种制造电容器的叉型下电极的方法，该电容器位于一基底，该方法包括在基底上依次形成第一介电层、氮化物层、第二介电层；对上述各层构图与蚀刻，直到基底露出，形成接触窗开口；在开口中形成导电插塞；对导电插塞旁的第二介电层进行构图与蚀刻以形成两个区域，其中该区域由氮化物层、导电插塞与第二介电层围绕；形成共形的导电层；移除导电层在第二介电层上与导电插塞的部分；以及移除第二介电层剩余的部分。

公开(公告)号：CN1121067C

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN98122958.1

申请日：1998-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林大成

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/84 ,  H01L21/76807 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种堆叠电容器的柱状底部存储节点的方法包括：在基底上形成一第一介电层；在第一介电层上形成一氮化硅层；光刻及蚀刻第一介电层和氮化硅层直至到达该基底，以形成一接触窗口；在接触窗口形成一导电插塞；在氮化硅层和插塞之上形成一第二介电层；光刻及蚀刻第二介电层，藉以在插塞上形成一沟渠；在沟槽中填满一非晶硅层；移除第二介电层的残留部分；以及在非晶硅层上形成一半球型硅晶粒多晶硅层。

公开(公告)号：CN1270368C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN02120227.3

申请日：2002-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林大成 ,  季明华

IPC: H01L21/70

Abstract: 一种金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal；MIM)电容器的制造方法。本发明的MIM电容器的制造方法是借着在平面的金属表面上形成立体杯形的间隙壁结构以增加电容器的电极面积。本发明的MIM电容器的制造方法与现今互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor；CMOS)晶体管的制造技术完全兼容且可用于未来具混合信号(Mixed-signal)或是射频(RadioFrequency；RF)应用的系统整合晶片(System On Chip；SOC)上。

公开(公告)号：CN1459840A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02120227.3

申请日：2002-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林大成 ,  季明华

IPC: H01L21/70

Abstract: 一种金属－绝缘体－金属(Metal－Insulator－Metal；MIM)电容器的制造方法。本发明的MIM电容器的制造方法是借着在平面的金属表面上形成立体杯形的间隙壁结构以增加电容器的电极面积。本发明的MIM电容器的制造方法与现今互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor；CMOS)晶体管的制造技术完全兼容且可用于未来具混合信号(Mixed－signal)或是射频(Radio Frequency；RF)应用的系统整合晶片(System On Chip；SOC)上。