Patent search ap:("台湾积体电路制造股份有限公司") AND inv:"杨詠傑" Page 1

1.

发明公开
集成电路装置及其制造方法及位元单元阵列无效

公开(公告)号：CN114975451A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210107828.1

申请日：2022-01-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘相玮 , 杨詠傑 , 杨耀仁

IPC: H01L27/112

Abstract: 一种集成电路装置及其制造方法及位元单元阵列，集成电路(integrated circuit，IC)装置包括晶体管及可程序化结构区域。晶体管区域包括用以接收参考电压的源极结构、漏极结构的第一部分、及在源极结构与漏极结构的第一部分之间定位并且用以接收启用信号的栅电极。可程序化结构区域包括漏极结构的第二部分、用以接收操作电压的第一信号线、第二信号线、在第一信号线下面并且电性连接到第一信号线的栅极通孔、及在漏极结构的第二部分与第二信号线之间定位并且电性连接到漏极结构的第二部分及第二信号线的漏极通孔。第一信号线包括栅极通孔位置的部分及第二信号线包括漏极通孔位置的部分在IC装置的相同金属层中平行定位。

Patent Agency Ranking