公开(公告)号：CN106206313B

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201510321307.6

申请日：2015-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕志 ,  谢志民 ,  蔡富村 ,  李永发 ,  黄智睦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的一些实施例提供了制造半导体器件的方法，该方法包括：接收FinFET前体，该FinFET前体包括形成在隔离区域之间的鳍结构以及形成在鳍结构的一部分上方栅极结构，使得鳍结构的侧壁与栅极结构的栅极间隔件接触；图案化鳍结构，以包括从隔离区域突出的至少一个向上阶梯的图案；在鳍结构、隔离区域和栅极结构上方形成覆盖层；对FinFET前体执行退火工艺，以沿着向上阶梯形成至少两个位错；以及去除覆盖层。本发明还提供了半导体器件结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN106206313A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510321307.6

申请日：2015-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕志 ,  谢志民 ,  蔡富村 ,  李永发 ,  黄智睦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的一些实施例提供了制造半导体器件的方法，该方法包括：接收FinFET前体，该FinFET前体包括形成在隔离区域之间的鳍结构以及形成在鳍结构的一部分上方栅极结构，使得鳍结构的侧壁与栅极结构的栅极间隔件接触；图案化鳍结构，以包括从隔离区域突出的至少一个向上阶梯的图案；在鳍结构、隔离区域和栅极结构上方形成覆盖层；对FinFET前体执行退火工艺，以沿着向上阶梯形成至少两个位错；以及去除覆盖层。本发明还提供了半导体器件结构及其制造方法。