公开(公告)号：CN115863407A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202210992561.9

申请日：2022-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾思惟 ,  吕伟元 ,  李威养 ,  林家彬 ,  高慈炜

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请的实施例提供了形成半导体器件的方法和半导体结构。根据本公开的形成半导体器件的方法包括接收工件，该工件包括设置在第一有源区域上方的第一栅极结构、设置在第二有源区域上方的第二栅极结构、沿着第一栅极结构的侧壁延伸并且至少部分地设置在第一有源区域的顶表面上方的第一栅极间隔件、沿着第二栅极结构的侧壁延伸并且至少部分地设置在第二有源区域的顶表面上方的第二栅极间隔件、以及源极/漏极部件。该方法还包括用远程氢或氧自由基处理第一栅极间隔件的部分和第二栅极间隔件的部分，去除处理的部分，并且在去除之后，在源极/漏极部件上方沉积金属填充材料。

公开(公告)号：CN110649022A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910560510.7

申请日：2019-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾思惟 ,  蔡国强

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置，包含：第一栅极结构和第二栅极结构，各自设置于基板之上；第一导电接触件和第二导电接触件，各自设置于基板之上；第一导孔，设置于所述第一导电接触件之上；第二导孔，设置于所述第二导电接触件之上；第一栅极接触件，设置于所述第一栅极结构之上；以及介电结构，设置于所述第一栅极结构之上和第二栅极结构之上。其中，介电结构的第一部分设置于第一导孔和第二导孔之间且电性隔离第一导孔和第二导孔；介电结构的第二部分设置于第一导孔和第一栅极接触件之间且电性隔离第一导孔和第一栅极接触件；介电结构的第一部分和第二部分各自包含单一类型的介电材料；第一导电接触件和第一导孔之间的第一界面在剖面图中构成所述第一导电接触件的上表面区域的第一百分比；第一栅极结构和第一栅极接触件之间的第二界面在剖面图中构成所述第一栅极结构的上表面区域的第二百分比。所述第一百分比大于所述第二百分比。