公开(公告)号：CN108122909A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710702826.6

申请日：2017-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家文 ,  林宏年 ,  李建兴 ,  张智胜 ,  叶凌彦 ,  威尔曼·蔡 ,  杨育佳

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49

Abstract: 半导体器件包括设置在衬底上方的第一沟道区域，以及设置在第一沟道区域上方的第一栅极结构。第一栅极结构包括设置在沟道区域上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的下导电栅极层、设置在下导电栅极层上方的铁电材料层以及设置在铁电材料层上方的上导电栅极层。铁电材料层与栅极介电层和下导电栅极层直接接触，并且具有U形截面。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109525232A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201711286017.8

申请日：2017-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李建兴 ,  张智胜 ,  威尔曼·蔡 ,  张家文 ,  叶凌彦 ,  卡洛斯·H·迪亚兹

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件包括：用于提供第一电位的第一电位供应线，用于提供比第一电位低的第二电位的第二电位供应线，功能电路，以及设置在第一电位供应线和功能电路之间的第一开关和设置在第二电位供应线和功能电路之间的第二开关中的至少一个。第一开关和第二开关是负电容FET。

公开(公告)号：CN108122909B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201710702826.6

申请日：2017-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家文 ,  林宏年 ,  李建兴 ,  张智胜 ,  叶凌彦 ,  威尔曼·蔡 ,  杨育佳

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49

Abstract: 半导体器件包括设置在衬底上方的第一沟道区域，以及设置在第一沟道区域上方的第一栅极结构。第一栅极结构包括设置在沟道区域上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的下导电栅极层、设置在下导电栅极层上方的铁电材料层以及设置在铁电材料层上方的上导电栅极层。铁电材料层与栅极介电层和下导电栅极层直接接触，并且具有U形截面。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109525232B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN201711286017.8

申请日：2017-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李建兴 ,  张智胜 ,  威尔曼·蔡 ,  张家文 ,  叶凌彦 ,  卡洛斯·H·迪亚兹

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件包括：用于提供第一电位的第一电位供应线，用于提供比第一电位低的第二电位的第二电位供应线，功能电路，以及设置在第一电位供应线和功能电路之间的第一开关和设置在第二电位供应线和功能电路之间的第二开关中的至少一个。第一开关和第二开关是负电容FET。

公开(公告)号：CN109585287A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810671100.5

申请日：2018-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶凌彦 ,  威尔曼·蔡 ,  卡罗斯·H·戴尔兹

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/06

Abstract: 在电路的形成方法中，电路包含金属氧化物半导体场效晶体管区中的金属氧化物半导体场效晶体管，以及负电容场效晶体管区中的负电容场效晶体管。此方法包括形成介电层于金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区中的通道层上。形成第一金属层于金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区中的介电层上。在形成第一金属层之后，只在负电容场效晶体管区中进行退火步骤。在退火步骤之后，自金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区移除第一金属层。退火步骤包括以能量束照射负电容场效晶体管区中的第一金属层与介电层。