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公开(公告)号：CN103443163A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280016662.7
申请日：2012-03-30
Applicant: 可乐丽股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/126 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/344 , C08G2261/91 , C08K3/045 , H01L51/0043 , H01L51/4253 , C08L65/00
Abstract: 所提供的是：能够通过光电转换活性层提高光吸收量并且控制其形态学并且能够实现优秀的光电转换效率的共轭嵌段共聚物；和包含组合物的光电转换元件，所述组合物包括使用这类共轭嵌段聚合物的电子接受性材料。π电子共轭嵌段共聚物，其包含：聚合物嵌段(A)，其包括具有至少一种杂芳基骨架的单体单元，所述杂芳基骨架选自在其化学结构的一部分中包含至少一个噻吩环的稠合的π共轭骨架、芴、咔唑、二苯并硅杂环戊二烯和二苯并锗杂环戊二烯；和聚合物嵌段（B），其包括至少在其3-位上具有取代基的噻吩-2,5-二基的单体单元。
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公开(公告)号：CN103649162A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280016647.2
申请日：2012-03-30
Applicant: 可乐丽股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/126 , C08G2261/1428 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/344 , C08G2261/414 , C08G2261/91 , C08K3/045 , H01L51/0043 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , H01L51/44 , C08L65/00
Abstract: 所提供的是：能够通过光电转换活性层提高光吸收量并且控制其形态学并且能够实现优秀的光电转换效率的共轭嵌段共聚物；和包含组合物的光电转换元件，所述组合物包括使用这类共轭嵌段聚合物的电子接受性材料。π电子共轭嵌段共聚物是具有聚合物嵌段(A)和聚合物嵌段（B）的π电子共轭嵌段共聚物，所述嵌段包括具有至少一种杂芳基骨架的单体单元，所述杂芳基骨架选自在其化学结构的一部分中包含至少一个噻吩环的稠环π共轭骨架、芴、咔唑、二苯并硅杂环戊二烯和二苯并锗杂环戊二烯；所述聚合物嵌段（A和B）具有彼此不同的单体单元。
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公开(公告)号：CN103459456A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280018561.3
申请日：2012-03-09
Applicant: 可乐丽股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/126 , C08G2261/1428 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/344 , C08G2261/364 , C08G2261/414 , C08G2261/91 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/4253
Abstract: 本发明提供了能够控制形态且可实现优异转换效率的共轭嵌段共聚物。π电子共轭嵌段共聚物，所述π电子共轭嵌段共聚物连续或非连续键合聚合物嵌段(A)和聚合物嵌段(B)，所述聚合物嵌段(A)涉及在化学结构的一部份上具有至少一种杂芳基骨架的单体单元，所述杂芳基骨架选自噻吩、芴、咔唑、二苯并硅杂环戊二烯和二苯并锗杂环戊二烯；所述聚合物嵌段(B)涉及类似地具有至少一种杂芳基骨架的单体单元的聚合物嵌段(B)；其中聚合物嵌段(A)包含具有取代基RnA的单体单元的均聚物嵌段，所述取代基RnA是具有1-18个碳原子的烷氧基或烷基，且聚合物嵌段(B)包含至少两种彼此不同类型的单体单元的共聚物嵌段，所述单体单元具有取代基RnB，所述取代基RnB选自具有1-18个碳原子的烷氧基或烷基，其可以被烷氧基、卤素原子、羟基、氨基、硫醇基、硅烷基、酯基、芳基、杂芳基所取代。
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