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公开(公告)号：CN113396512A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202080012827.8
申请日：2020-02-04
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够抑制特性的劣化、可靠性的降低的半导体元件。半导体元件具备：台面部，其具有半导体层叠构造，在给定方向上延伸；延伸部，其隔着分别设置于台面部的两侧的沟道槽而沿着台面部延伸；绝缘部，其包含绝缘性材料，分别设置于沟道槽；以及导电部，其设置于台面部的上侧，绝缘部的至少一个与台面部密接且在台面部的延伸方向上的至少一部分中，在与延伸部之间形成有空隙，遍及至少一个绝缘部和台面部而设置有导电部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116581641A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310091037.9
申请日：2023-01-19
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 若叶昌布
Abstract: 本发明提供一种高输出的半导体激光元件，具备：主体，其具有在层叠方向上层叠了具有n型的导电型的第1层叠部、具有p型的导电型的第2层叠部和介于第1层叠部与第2层叠部之间存在的活性层的结构；前侧镜，其形成于主体的与层叠方向平行的前端面；和后侧镜，其形成于主体的后端面，该后端面在与层叠方向以及前端面交叉的光波导方向上与前端面对置，第1层叠部包含：电场控制层，其组成波长比活性层的发光波长短，第2层叠部包含：光导层，其组成波长比活性层的发光波长短，在光波导方向上延伸，且在与光波导方向正交的宽度方向上，宽度比活性层窄，在光导层的宽度方向的两侧设有含有折射率比光导层低的材料的隐埋层，光导层具有：宽度变化部，其宽度在光波导方向上发生变化。
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公开(公告)号：CN115004070A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180010392.8
申请日：2021-01-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 半导体元件，例如具备：底座(11)，具有底面(11a)；台面(12)，从底面向与底面交叉的第一方向突出，具有顶面(12a)和该顶面的两侧的两个侧面(12b)，且沿着底面延伸；以及电阻器(15)，具有设置在顶面上的顶壁(15a)、和设置在两个侧面之中的至少一个侧面上的侧壁(15b)，且被构成为电流沿台面延伸的方向流动。
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公开(公告)号：CN113396512B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202080012827.8
申请日：2020-02-04
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够抑制特性的劣化、可靠性的降低的半导体元件。半导体元件具备：台面部，其具有半导体层叠构造，在给定方向上延伸；延伸部，其隔着分别设置于台面部的两侧的沟道槽而沿着台面部延伸；绝缘部，其包含绝缘性材料，分别设置于沟道槽；以及导电部，其设置于台面部的上侧，绝缘部的至少一个与台面部密接且在台面部的延伸方向上的至少一部分中，在与延伸部之间形成有空隙，遍及至少一个绝缘部和台面部而设置有导电部。
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公开(公告)号：CN115004070B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202180010392.8
申请日：2021-01-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 半导体元件，例如具备：底座(11)，具有底面(11a)；台面(12)，从底面向与底面交叉的第一方向突出，具有顶面(12a)和该顶面的两侧的两个侧面(12b)，且沿着底面延伸；以及电阻器(15)，具有设置在顶面上的顶壁(15a)、和设置在两个侧面之中的至少一个侧面上的侧壁(15b)，且被构成为电流沿台面延伸的方向流动。
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公开(公告)号：CN116918198A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280014225.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 光半导体装置例如具备：台面，从基座的表面向第一方向突出并在与第一方向交叉的方向上延伸；以及加热器层，具有相对于台面的顶面位于与基座相反的一侧的顶壁，沿台面延伸，台面具有：第一台面，沿第二方向延伸；以及多个第二台面，从该第一台面分支，并延伸，以使得随着从该第一台面去往第二方向而在第三方向上相互远离，第二台面具有：第一侧面，接近在第三方向上相邻的其他第二台面；以及第二侧面，远离该相邻的其他第二台面，加热器层具有第一侧壁，在至少一个第二台面从远离第一台面的位置沿第一侧面延伸，以使得远离该第一台面。
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