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公开(公告)号:CN107851476A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680044706.5
申请日:2016-03-10
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01B1/04
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管集合体,其与以往的碳纳米管线材相比能够进一步实现低电阻化,并且能够实现与铜、铝同等的电阻率,使电特性大幅提高。CNT集合体(1)由多个具有1层以上的层结构的CNT的CNT束(11)、(11)、……构成。CNT束(11)是多个CNT(11a)、(11a)、……集中成束而成的束状体。在CNT集合体(11)中,具有2层结构或3层结构的CNT的个数之和相对于多个CNT(11a)、(11a)、……的个数的比率为75%以上,并且,在源于拉曼光谱法中的拉曼光谱的G带的峰中,源于半导体性的CNT的G+/Gtotal比为0.70以上。
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公开(公告)号:CN107851476B
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:CN201680044706.5
申请日:2016-03-10
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01B1/04
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管集合体,其与以往的碳纳米管线材相比能够进一步实现低电阻化,并且能够实现与铜、铝同等的电阻率,使电特性大幅提高。CNT集合体(1)由多个具有1层以上的层结构的CNT的CNT束(11)、(11)、……构成。CNT束(11)是多个CNT(11a)、(11a)、……集中成束而成的束状体。在CNT集合体(11)中,具有2层结构或3层结构的CNT的个数之和相对于多个CNT(11a)、(11a)、……的个数的比率为75%以上,并且,在源于拉曼光谱法中的拉曼光谱的G带的峰中,源于半导体性的CNT的G+/Gtotal比为0.70以上。
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