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公开(公告)号:CN1310045C
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN03143459.2
申请日:2003-09-30
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: G02B6/02 , C03B23/047 , H04B10/12
CPC classification number: G02B6/03688 , C03B37/01413 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , C03B2203/23 , C03B2203/36 , G02B6/02019 , G02B6/02242 , G02B6/02266 , G02B6/03605 , G02B6/03666
Abstract: 本发明的光纤的特征在于零色散波长在1250nm以上1350nm以下,波长1550nm的传送损失为0.185dB/km以下,波长1550nm的波长色散为19±1ps/nm·km,波长1550nm的波长色散斜率为0.06ps/nm2·km以下,波长1550nm的实效芯截面积为105μm2以上,光缆截止波长λcc为1530nm以下,波长1550nm的偏波模式色散为0.1ps/km1/2以下,以心轴外径为20mm进行弯曲时的波长1550nm的弯曲损失为10dB/m以下。
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公开(公告)号:CN1497274A
公开(公告)日:2004-05-19
申请号:CN03143459.2
申请日:2003-09-30
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: G02B6/16 , C03B23/047 , H04B10/12
CPC classification number: G02B6/03688 , C03B37/01413 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , C03B2203/23 , C03B2203/36 , G02B6/02019 , G02B6/02242 , G02B6/02266 , G02B6/03605 , G02B6/03666
Abstract: 本发明的光纤的特征在于零色散波长在1250nm以上1350nm以下,波长1550nm的传送损失为0.185dB/km以下,波长1550nm的波长色散为19±1ps/nm.km,波长1550nm的波长色散斜率为0.06ps/nm2.km以下,波长1550nm的实效芯截面积为105μm2以上,光缆截止波长λcc为1530nm以下,波长1550nm的偏波模式色散为0.1ps/km1/2以下,以心轴外径为20mm进行弯曲时的波长1550nm的弯曲损失为10dB/m以下。
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公开(公告)号:CN100458477C
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200710005417.7
申请日:2003-09-30
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C03B37/01211 , C03B37/0124 , C03B37/01413 , C03B37/01446 , C03B37/01453 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , C03B2203/23
Abstract: 本发明的光纤的特征在于包括中心芯,位于光纤中心,相对于二氧化硅的折射率N5的最大比折射率差为Δ1,外径为A;侧芯,在上述中心芯外周形成,相对于上述二氧化硅的折射率N5的最大比折射率差为Δ2,外径为B;第1包层,在上述侧芯的外周形成,相对于上述二氧化硅的折射率N5的最大比折射率差为Δ3;以及第2包层,在上述第1包层的外周形成。其中上述Δ1到Δ3具有Δ1>Δ2>Δ3的关系;并具有-0.20%≤Δ1≤0.20%、-0.45%≤Δ2≤-0.05%、-0.50%≤Δ3≤-0.20%的关系。上述中心芯的外径A和上述侧芯的外径B具有0.3≤A/B≤0.8的关系;上述第2包层的粘度高于上述中心芯的粘度。
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公开(公告)号:CN101000391A
公开(公告)日:2007-07-18
申请号:CN200710005417.7
申请日:2003-09-30
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C03B37/01211 , C03B37/0124 , C03B37/01413 , C03B37/01446 , C03B37/01453 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , C03B2203/23
Abstract: 本发明的光纤的特征在于包括中心芯,位于光纤中心,相对于二氧化硅的折射率N0的比折射率差为Δ1,外径为A;侧芯,在上述中心芯外周形成,相对于上述二氧化硅的折射率N0的比折射率差为Δ2,外径为B;第1包层,在上述侧芯的外周形成,相对于上述二氧化硅的折射率N0的比折射率差为Δ3;以及第2包层,在上述第1包层的外周形成。其中上述Δ1到Δ3具有Δ1>Δ2>Δ3的关系;并具有-0.20%≤Δ1≤0.20%、-0.45%≤Δ2≤-0.05%、-0.50%≤Δ3≤-0.20%的关系。上述中心芯的外径A和上述侧芯的外径B具有3≤A/B≤0.8的关系;上述第2包层的粘度高于上述中心芯的粘度。
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