公开(公告)号：CN115697860A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180040231.3

申请日：2021-06-04

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 凑龙一郎 ,  中西伦宏

IPC: B65D85/86 ,  H01L21/673

Abstract: 一种部件壳体，其收容分别具有朝向第一方向的第一面以及朝向第一方向的相反方向的第二面的多个部件的部件壳体，其中，该部件壳体具备第一构件以及第二构件，该第一构件与第一方向大致正交地扩展，且具有：多个第一支承面，它们分别支承第一面；以及两个倾斜面，它们分别相对于第一方向倾斜并且在与第一方向正交的一个正交方向上相互朝向相反方向，且随着趋向第一方向而相互靠近或者分离，所述第二构件相对于第一构件在第一方向的相反方向上相邻并与第一方向大致正交地扩展，且具有：多个第二支承面，它们分别支承第二面；以及两个对置面，它们分别沿着两个倾斜面延伸并且接触。

公开(公告)号：CN111712979B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201980013122.5

申请日：2019-02-14

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 凑龙一郎 ,  大木泰

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/50

Abstract: 本发明提供一种在使驱动电压下降的同时使光输出增大、特别是实现了电‑光转换效率的增大的性能优良的光半导体装置，特别是提供一种高输出的半导体激光装置。一种光半导体装置，具备光半导体元件和电连接部，所述光半导体元件具备：半导体层叠部；活性区域，被光输出侧的第一端面和与第一端面相对的第二端面夹住；以及第一电极层和第二电极层，该第一电极层设置于半导体层叠部的上部，该第二电极层设置于半导体层叠部的下部，所述电连接部连接于光半导体元件的第一电极层和第二电极层中的至少一方，用于将电流注入到活性区域，该光半导体装置的特征在于，当将电连接部与光半导体元件相接触的接触面积中的包含于光半导体元件的上部面积的第一端面侧的1/2的接触面积设为α、将包含于光半导体元件的上部面积的第二端面侧的1/2的接触面积设为β时，满足α＞β，且β＞0。

公开(公告)号：CN111712979A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201980013122.5

申请日：2019-02-14

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 凑龙一郎 ,  大木泰

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/022 ,  H01S5/50

Abstract: 本发明提供一种在使驱动电压下降的同时使光输出增大、特别是实现了电-光转换效率的增大的性能优良的光半导体装置，特别是提供一种高输出的半导体激光装置。一种光半导体装置，光半导体元件具备：半导体层叠部；活性区域，被光输出侧的第一端面和与第一端面相对的第二端面夹住；以及第一电极层和第二电极层，该第一电极层设置于半导体层叠部的上部，该第二电极层设置于半导体层叠部的下部，在光半导体元件的第一电极层和第二电极层中的至少一方，连接有用于将电流注入到活性区域的电连接部，该光半导体装置的特征在于，当将电连接部与光半导体元件相接触的接触面积中的包含于光半导体元件的上部面积的第一端面侧的1/2的接触面积设为α、将包含于光半导体元件的上部面积的第二端面侧的1/2的接触面积设为β时，满足α＞β，且β＞0。