公开(公告)号：CN1168540A

公开(公告)日：1997-12-24

申请号：CN96123177.7

申请日：1996-12-20

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 西片一昭 ,  入川理德

IPC: H01L29/861

CPC classification number: H01L31/105

Abstract: 一种管脚状光电二极管，它包括：n-型InP衬底；由n-型InP层或者n-型AlInAs层组成的n涂层；由n-型GaInAsP层或者n-型AlGaInAs层组成的n光波导层；由非掺杂或者低掺杂的GaInAs层或GaInAsP层组成的光学吸收层；由p-型AlGaInAs层或者p-型AlGaInAs层组成的p光波导层；以及由p-型Inp层或者p-型AlGaInAs层组成的p涂层，其中光线平行于各层入射。

公开(公告)号：CN1185718C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN96123177.7

申请日：1996-12-20

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 西片一昭 ,  入川理德

IPC: H01L31/105

CPC classification number: H01L31/105

Abstract: 一种PIN光电二极管，它包括：n-型InP衬底；由n-型InP层或者n-型AlInAs层组成的n涂层；由n-型GaInAsP层或者n-型AlGaInAs层组成的n光波导层；由非掺杂或者低掺杂的GaInAs层或GaInAsP层组成的光学吸收层；由p-型AlGaInAs层或者p-型AlGaInAs层组成的p光波导层；以及由p-型InP层或者p-型AlGaInAs层组成的p涂层，其中光线平行于各层入射。

公开(公告)号：CN1164933A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN96190987.0

申请日：1996-08-29

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 入川理德 ,  西片一昭 ,  野村刚彦

IPC: H01L31/10 ,  G02F1/025

CPC classification number: H01L31/109 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/01708 ,  G02F2001/01766 ,  H01L31/02327

Abstract: 一种波导式光接收元件(10)包括一光电探测部分(14)，一光衰减部分(18)和具有将光电探测部分与光衰减部分电隔离而使光传输的光传输特性的电隔离部分(20)。光电探测部分包括在基片(22)上形成的n型光导层(28)和i型光吸收层(30)，及夹在光导层和光吸收层之间的一对n和p型光限制层(26和32)，从而形成了双异结结构。光衰减部分除了设置一应变MQW层代替光吸收层之外，具有与光电探测部分相似的层结构，并具有分别设置在基片顶部和底部的一吸收控制电极(16)和一电极(40)。光电探测部分的光吸收层及波导和光衰减部形成一脊结构，在水平方向上有一光限制结构及在垂直方向有一光限制结构。通过在光衰减部分的电极间施加一反向偏压，可以控制由光衰减部分吸收入射光的量，从而控制传播到光电探测部分的光强度。