公开(公告)号：CN101267021A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810096637.X

申请日：2008-04-30

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 陈方中 ,  黄昱仁 ,  廖呈祥 ,  黄维邦 ,  黄伟明

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明一种有机双极型薄膜晶体管及其制造方法，其中该有机双极型薄膜晶体管包括一栅极、一栅绝缘层、一N型有源层、一P型有源层、一源极以及一漏极，该有机双极型薄膜晶体管还包括一有机修饰绝缘层设置在该栅绝缘层表面上。本发明利用双层异质结构制作该有机双极型薄膜晶体管，可以减少电子或空穴在传输过程中被复合的机会，且将P型有源层制作在最上层，避免N型有源层的电性受到水氧的影响；此外在N型有源层和栅绝缘层之间修饰一层有机修饰绝缘层，选取适当的有机修饰绝缘层可以使电子在通道中容易传递，大大提升N型的电性，解决有机双极型薄膜晶体管在大气中只有P型的电性，使有机双极型薄膜晶体管可在空气中操作。

公开(公告)号：CN101267020A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810096614.9

申请日：2008-04-29

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 陈方中 ,  廖呈祥 ,  黄昱仁 ,  黄维邦 ,  黄伟明

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明一种有机薄膜晶体管及其制造方法，其中该有机薄膜晶体管包括一栅极、一栅绝缘层、一有源层、一源极以及一漏极，该有机薄膜晶体管还包括一有机修饰绝缘层设置在该栅绝缘层表面上。本发明有机薄膜晶体管适当地使用有机修饰绝缘层修饰栅绝缘层，能够为N型薄膜晶体管提供良好的接触表面，减少电子被局限在有源层与栅绝缘层的接口，降低了氢氧根密度，进而提升电子在通道中的传递能力，并且可以提高有机薄膜晶体管在大气环境中的稳定性。