磁场感应器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104269425B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201410519369.3

    申请日:2014-09-30

    CPC classification number: G01R33/066

    Abstract: 本发明提供一种使用半导体薄膜的场效晶体管结构,并可适当控制灵敏度的磁场感应器,其包含半导体薄膜、漏极、源极、栅极、第一霍尔电极、及第二霍尔电极,其中根据对漏极施加的漏极电压和对栅极施加的栅极电压,在漏极与源极之间会存在漏极电流通过半导体薄膜的通道区域,在第一霍尔电极与第二霍尔电极之间会根据漏极电流和通道区域中存在的磁场产生霍尔电压,对栅极施加的栅极电压的值在最低允许栅极电压值之上,而不位于低于最低允许栅极电压值的低电压范围。

    感测元件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103956427A

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201410215097.8

    申请日:2014-05-21

    CPC classification number: H01L43/065 G01R33/07 H01L43/04

    Abstract: 本发明公开一种感测元件,其包括半导体层、第一电极与第二电极、第一侦测电极与第二侦测电极以及至少一导电图案。第一电极与第二电极设置在半导体层的相对向的两端。第一侦测电极与第二侦测电极设置在半导体层的相对向的另外两端,其中第一侦测电极以及该第二侦测电极之间具有一虚拟连线。至少一导电图案设置在半导体层上,其中导电图案与虚拟连线不重叠。

    感测元件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103956427B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201410215097.8

    申请日:2014-05-21

    CPC classification number: H01L43/065 G01R33/07 H01L43/04

    Abstract: 本发明公开一种感测元件,其包括半导体层、第一电极与第二电极、第一侦测电极与第二侦测电极以及至少一导电图案。第一电极与第二电极设置在半导体层的相对向的两端。第一侦测电极与第二侦测电极设置在半导体层的相对向的另外两端,其中第一侦测电极以及该第二侦测电极之间具有一虚拟连线。至少一导电图案设置在半导体层上,其中导电图案与虚拟连线不重叠。

    电子装置与其比较器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104079270B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201410312025.5

    申请日:2014-07-02

    Abstract: 本发明公开了一种电子装置与其比较器,该电子装置包含取样单元与放大单元。取样单元选择性地对第一输入信号与第二输入信号进行取样,并产生差值信号。放大单元接收差值信号并产生输出信号,其中放大单元经由第一预设电压、第二预设电压、第一系统供应电压与第二系统供应电压所驱动。第一预设电压用以设置放大单元的操作点,且第二预设电压大于第一系统供应电压。

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