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公开(公告)号：CN112162345A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011077774.6
申请日：2020-10-10
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
Abstract: 本发明公开一种偏光基板及其制造方法，偏光基板包括基板、反射层以及金属图案层。反射层位于基板上，且具有穿透区以及反射区。金属图案层位于反射层以及基板上。金属图案层包括偏光结构以及微结构。偏光结构包含多个重叠于穿透区的栅线。各栅线的厚度为200奈米至500奈米，各栅线的宽度为30奈米至70奈米，且两相邻的栅线之间的间距为30奈米至70奈米。微结构重叠于反射区，且微结构的厚度为20奈米至500奈米。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111968993B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010686816.X
申请日：2020-07-16
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1343 , G02F1/1362
Abstract: 一种主动元件基板，包括基板、多条第一金属栅线、第一透明导电层、栅绝缘层、半导体层、源极以及漏极。第一金属栅线位于基板上。第一透明导电层包括扫描线以及连接扫描线的栅极。扫描线及/或栅极直接连接至少部分第一金属栅线。栅绝缘层位于第一透明导电层上。半导体层位于栅绝缘层上，且重叠于栅极。源极以及漏极电性连接半导体层。
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公开(公告)号：CN111968993A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010686816.X
申请日：2020-07-16
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1343 , G02F1/1362
Abstract: 一种主动元件基板，包括基板、多条第一金属栅线、第一透明导电层、栅绝缘层、半导体层、源极以及漏极。第一金属栅线位于基板上。第一透明导电层包括扫描线以及连接扫描线的栅极。扫描线及/或栅极直接连接至少部分第一金属栅线。栅绝缘层位于第一透明导电层上。半导体层位于栅绝缘层上，且重叠于栅极。源极以及漏极电性连接半导体层。
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公开(公告)号：CN111929941A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010686136.8
申请日：2020-07-16
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13363
Abstract: 本发明公开了一种显示器，包括显示面板以及背光模块。显示面板具有多个开口区以及非开口区。显示面板包括第一基板、第二基板、第一偏光结构、第二偏光结构以及四分之一波板。第一偏光结构位于该第一基板上，且包括多条栅线。第二偏光结构位于第二基板上。四分之一波板位于第一基板上。第一基板位于背光模块与第二基板之间。四分之一波板相较于第一偏光结构更靠近背光模块。
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公开(公告)号：CN112162345B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202011077774.6
申请日：2020-10-10
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
Abstract: 本发明公开一种偏光基板及其制造方法，偏光基板包括基板、反射层以及金属图案层。反射层位于基板上，且具有穿透区以及反射区。金属图案层位于反射层以及基板上。金属图案层包括偏光结构以及微结构。偏光结构包含多个重叠于穿透区的栅线。各栅线的厚度为200纳米至500纳米，各栅线的宽度为30纳米至70纳米，且两相邻的栅线之间的间距为30纳米至70纳米。微结构重叠于反射区，且微结构的厚度为20纳米至500纳米。
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公开(公告)号：CN111929941B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010686136.8
申请日：2020-07-16
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13363
Abstract: 本发明公开了一种显示器，包括显示面板以及背光模块。显示面板具有多个开口区以及非开口区。显示面板包括第一基板、第二基板、第一偏光结构、第二偏光结构以及四分之一波板。第一偏光结构位于该第一基板上，且包括多条栅线。第二偏光结构位于第二基板上。四分之一波板位于第一基板上。第一基板位于背光模块与第二基板之间。四分之一波板相较于第一偏光结构更靠近背光模块。
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