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公开(公告)号：CN108508522A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810394098.1
申请日：2018-04-27
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 赖葳 , 陈加明 , 黄彦士 , 陈亦伟 , 叶佳元 , 李文仁 , 沈永裕
IPC: G02B5/30 , H01L51/52
Abstract: 一种偏光膜，包括：设置于基板上的无机氮化硅层、设置于无机氮化硅层上的无机氧化硅层、以及设置于无机氧化硅层上的金属层，且无机氧化硅层为富含硅的氧化硅层。
