顶部发光型主动式有机发光显示元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1523935A

    公开(公告)日:2004-08-25

    申请号:CN03104613.4

    申请日:2003-02-17

    Inventor: 林巧茹

    Abstract: 一种顶部发光型主动式有机发光显示元件,此元件于阳极层的底下配置有一金属遮蔽层,以避免有机发光层所产生的光线射入薄膜晶体管的通道层中,而导致光电漏电的情形。由于此金属遮蔽层可以防止光线射入薄膜晶体管的通道层中,因此阳极层可以随着金属遮蔽层而延伸覆盖在薄膜晶体管的上方,以增加像素结构的发光面积。另外,因金属遮蔽层的导电性较阳极层佳,因此金属遮蔽层还可以同时改善电流的均匀性,以提升元件的寿命。

    主动矩阵式有机电致发光显示组件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100373630C

    公开(公告)日:2008-03-05

    申请号:CN03109820.7

    申请日:2003-04-11

    Inventor: 林巧茹

    Abstract: 一种主动矩阵式有机电致发光显示元件的制造方法,此方法是首先在基板上形成透明导体层以作为显示组件的共阳极。接着,在透明导体层上形成一层保护层。之后,在保护层上形成一个以上薄膜晶体管以形成一薄膜晶体管数组。接着,在保护层上形成一个以上开口以暴露出像素区域的透明导体层,后在开口中的透明导体层上形成一个以上有机发光材料层。之后,在这些有机发光材料层上形成金属电极层,且这些金属电极层与所对应的漏极的电性相连接。

    主动矩阵式有机电激发光显示组件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1536945A

    公开(公告)日:2004-10-13

    申请号:CN03109820.7

    申请日:2003-04-11

    Inventor: 林巧茹

    Abstract: 一种主动矩阵式有机电激发光显示组件的制造方法,此方法是首先在基板上形成透明导体层以作为显示组件的共阳极。接着,在透明导体层上形成一层保护层。之后,在保护层上形成一个以上薄膜晶体管以形成一薄膜晶体管数组。接着,在保护层形成一个以上开口以暴露出像素区域的透明导体层,后在开口中的透明导体层上形成一个以上有机发光材料层。之后,在这些有机发光材料层上形成金属电极层,且这些金属电极层与所对应的汲极的电性相连接。

    顶部发光型主动式有机发光显示元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100394612C

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:CN03104613.4

    申请日:2003-02-17

    Inventor: 林巧茹

    Abstract: 一种顶部发光型主动式有机发光显示元件,此元件于阳极层的底下配置有一金属遮蔽层,以避免有机发光层所产生的光线射入薄膜晶体管的通道层中,而导致光电漏电的情形。由于此金属遮蔽层可以防止光线射入薄膜晶体管的通道层中,因此阳极层可以随着金属遮蔽层而延伸覆盖在薄膜晶体管的上方,以增加像素结构的发光面积。另外,因金属遮蔽层的导电性较阳极层佳,因此金属遮蔽层还可以同时改善电流的均匀性,以提升元件的寿命。

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