公开(公告)号：CN103681770A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310733406.6

申请日：2013-12-23

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 林冠宇 ,  张凡伟 ,  李仁佑 ,  丁宏哲

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法。该有源矩阵有机发光二极管面板包括：第一导电层；栅极绝缘层，形成于第一导电层的上方；氧化物半导体层，具有预设图案；蚀刻阻止层；以及第二导电层。其中，氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，第一区域与第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案且位于交界部的远离蚀刻阻止层的一侧。相比于现有技术，本发明可透过改善第一导电层的栅极图案或者氧化物半导体层的预设图案，使氧化物半导体层被蚀刻时所形成的侧蚀裂缝可避开蚀刻阻止层的干蚀刻区域，因此有效避免下层栅极与上层源极/漏极之间的短路不良情形，提升了产品制程的可靠性。

公开(公告)号：CN114388602B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202210026737.5

申请日：2022-01-11

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 陈衍豪 ,  黄震铄 ,  陈勇达 ,  林冠宇 ,  任珂锐 ,  陈国光

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/80 ,  H10K50/84 ,  H10K71/00 ,  H10K59/126

Abstract: 一种像素阵列基板，包括基底、主动元件层、第一挡墙结构、多个第二挡墙结构以及多个有机发光层。第一挡墙结构包括多个第一延伸部以及多个第二延伸部。多个第一延伸部沿着第一方向延伸。各第二延伸部在第二方向上位于相邻的两个第一延伸部之间。第一延伸部的厚度大于第二延伸部的厚度。各第二延伸部具有多个沟槽。第二挡墙结构沿着第一方向延伸，且位于第一延伸部上。

公开(公告)号：CN114388602A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202210026737.5

申请日：2022-01-11

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 陈衍豪 ,  黄震铄 ,  陈勇达 ,  林冠宇 ,  任珂锐 ,  陈国光

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 一种像素阵列基板，包括基底、主动元件层、第一挡墙结构、多个第二挡墙结构以及多个有机发光层。第一挡墙结构包括多个第一延伸部以及多个第二延伸部。多个第一延伸部沿着第一方向延伸。各第二延伸部在第二方向上位于相邻的两个第一延伸部之间。第一延伸部的厚度大于第二延伸部的厚度。各第二延伸部具有多个沟槽。第二挡墙结构沿着第一方向延伸，且位于第一延伸部上。