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公开(公告)号:CN118704032A
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202410713244.8
申请日:2024-06-04
Applicant: 厦门稀土材料研究所
IPC: C25B11/091 , C25B11/052 , C25B1/04 , C25B1/55 , C03C17/34 , C03C17/25
Abstract: 本发明涉及光电催化技术领域,且公开了一种氟掺杂二氧化钛光电阳极的制备方法与应用,该制备方法需要提供一种光电阳极,包括导电基底和生长在所述导电基底表面的改性二氧化钛纳米棒,所述改性二氧化钛纳米棒为多组矩阵阵列分布;所述改性二氧化钛纳米棒包括二氧化钛纳米棒和掺杂在二氧化钛纳米棒中的氟元素。本发明,改性二氧化钛纳米棒阵列中的改性二氧化钛纳米棒包括二氧化钛纳米棒和掺杂在二氧化钛纳米棒中的氟元素,其中的氟掺杂后能够使二氧化钛晶格缩小,从而优化能带结构,提高光吸收能力,同时促进二氧化钛在表面和界面上的高效电子空穴分离,提高了光电阳极的光电流密度和光电转化效率。
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公开(公告)号:CN117026284A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202310797982.0
申请日:2023-06-30
Applicant: 厦门稀土材料研究所
IPC: C25B11/091 , C25B11/065 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明属于光电催化技术领域,具体涉及一种改性花粉碳复合材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种改性花粉碳复合材料,包括花粉碳和负载在所述花粉碳上的磷、氮和二氧化钛;所述改性花粉碳复合材料具有多孔网状结构。本发明提供的改性花粉碳复合材料具有较高的光电催化效率。
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公开(公告)号:CN116949499A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202310977217.7
申请日:2023-08-04
Applicant: 厦门稀土材料研究所
IPC: C25B11/091 , C25B11/063 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明公开了铜锌锡硫化物掺杂氧化铁光电阳极及其制备方法和应用,包括:导电基底和生长在所述导电基底表面的改性氧化铁纳米棒阵列;所述改性氧化铁纳米棒阵列中的改性氧化铁纳米棒包括氧化铁纳米棒和包覆在所述氧化铁纳米棒表面的铜锌锡硫化物层。本发明采用铜锌锡硫化物对氧化铁纳米棒进行包覆,使得光电阳极表现出良好的光吸收性能,促进了光生载流子的分离,提高了光电阳极的光电流密度和光电转化效率。
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公开(公告)号:CN116732565A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202310688622.7
申请日:2023-06-12
Applicant: 厦门稀土材料研究所
IPC: C25B11/091 , C25B11/063 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明属于光电催化技术领域,具体涉及一种光电阳极及其制备方法和应用。本发明提供了一种光电阳极,包括导电基底和生长在所述导电基底表面的改性氧化铁纳米棒阵列;所述改性氧化铁纳米棒阵列中的改性氧化铁纳米棒包括氧化铁纳米棒和依次包覆在所述氧化铁纳米棒表面的氧化铟层和氢氧化钴‑四氧化三锰复合层。本发明采用氧化铟层和氢氧化钴‑四氧化三锰复合层对氧化铁纳米棒进行逐层包覆,使得光电阳极表现出良好的可见光吸收性能,进一步提高了光电阳极的光电流密度和光电转化效率。
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