公开(公告)号：CN114250073A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202011027645.6

申请日：2020-09-25

Applicant: 厦门稀土材料研究所

Inventor： 朱浩淼 ,  吴录艳 ,  林雅玲

IPC: C09K11/80 ,  C09K11/82 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/63

Abstract: 本发明提供了一种近红外的长余辉纳米材料，其发光中心分别为Ce3+和Ln3+，其发光区域位于可见光及近红外一区及近红外二区。该材料可通过掺杂的Ln3+对长余辉发射峰在900‑1700nm范围内进行调控，还可通过基质材料组分A3AlxGayO12的调节，实现长余辉材料中陷阱深度的调节，从而实现长余辉强度及时间的调节。本发明提供的长余辉发光材料的制备方法以盐微乳法进行合成，所合成的长余辉纳米材料的尺寸可控，粒径较小，分散性较好，成本低，对环境没有污染。

公开(公告)号：CN112779004A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201911090319.7

申请日：2019-11-08

Applicant: 厦门稀土材料研究所

Inventor： 朱浩淼 ,  林雅玲

IPC: C09K11/62 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明提供一种近红外长余辉发光纳米材料及其制备方法与应用。该近红外发光材料以化学式ZnxMyGa2O4:aCr3+,bLn3+来表示，Cr3+和Ln3+为发光中心离子，M为Ca、Sr和Ba中的至少一种；Ln为稀土元素Yb,Er,Nd,Tm,Ho,Pr中的至少一种；0＜x≤1，0≤y≤1，且x+y＝1；0.01mol％≤a≤5mol％，0.01mol％≤b≤10mol％。该以介孔二氧化硅作为模板制备得到。该材料的发光中心离子分别为Cr3+和Ln3+，其发光区域位于近红外二区，所合成的长余辉纳米材料尺寸可控，粒径较小，且为单分散，方法简单，成本低，对环境没有污染。