公开(公告)号：CN119092404A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411234124.6

申请日：2024-09-04

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 张弘鹏 ,  黄添利 ,  王绍冲 ,  张玉珊 ,  陈铖颖 ,  张宏怡

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明涉及功率射频分立器件技术领域，特别涉及一种SBD器件及其制备方法。该方法包括以下步骤：提供第一衬底；在所述第一衬底的上表面形成具有刚玉型晶体结构的键合中间层；提供β‑Ga2O3层，所述β‑Ga2O3层具有第一表面和第二表面；对所述β‑Ga2O3层的第二表面进行离子注入；将β‑Ga2O3层转印至所述键合中间层，使所述β‑Ga2O3层的第二表面与所述键合中间层的上表面接触，形成异质集成衬底；在所述异质集成衬底的上表面形成外延层；在所述外延层的上表面形成部分覆盖的场板钝化层，所述场板钝化层由下至上依次包括缓冲层和钝化层，该场板结构可以有效抑制器件电极边缘的强电场。本发明提供实现的SBD器件具有较高的器件性能及可靠性。